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英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET新模組採用AIN陶瓷基板
 

【CTIMES/SmartAuto 陳雅雯報導】   2021年05月12日 星期三

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英飛凌科技利用新型氮化鋁(AIN)陶瓷基板,成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模組。此半橋式裝置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B兩種封裝型式,導通電阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V裝置採用高性能陶瓷,因此適合高功率密度應用,如太陽能系統、不斷電系統、輔助變頻器、儲能系統及電動車充電器等。

新款EasyDUAL CoolSiC MOSFET 1200 V模組採用新型氮化鋁(AIN)陶瓷基板,可降低至散熱片之熱阻高達40%。
新款EasyDUAL CoolSiC MOSFET 1200 V模組採用新型氮化鋁(AIN)陶瓷基板,可降低至散熱片之熱阻高達40%。

EasyDUAL模組之FF11MR12W1M1_B70 和 FF6MR12W2M1_B70裝置採用最新CoolSiC MOSFET技術,閘極氧化層可靠度極佳。經過改良的DCB材料導熱性,可降低至散熱片之熱阻(RthJH)高達40%。CoolSiC Easy模組結合新型AIN陶瓷,不僅可提高輸出功率,還能降低接面溫度,進而大幅延長系統壽命。

EasyDUAL CoolSiC MOSFET模組之FF11MR12W1M1_B70及FF6MR12W2M1_B70裝置已經上市。

關鍵字: MOSFET  功率模組  Infineon(英飛凌
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