新型Ultra C VI系統充分利用盛美已被驗證的多腔體技術，為儲存器製造商提高產能並降低成本。

先進半導體設備供應商盛美半導體設備近日發布Ultra C VI單晶圓清洗設備，此為Ultra C清洗系列的新品。Ultra C VI旨在對動態隨機存取儲存器（DRAM）和3D NAND閃存晶圓進行高產能清洗，以實現縮短儲存產品的生產周期。這款新品以盛美成熟的多腔體技術為基礎，進一步擴展了清洗設備產品線。Ultra C VI系統配備了18個單片清洗腔體，對比盛美現有的12腔設備Ultra C V系統，其腔體數及產能增加了50%，而其設備寬度不變只是設備長度有少量增加。

「儲存產品的複雜度不斷提高，但仍然對產量有嚴格的要求。」盛美董事長王暉博士表示：「當清洗製程的時間逐漸加長或開始采用更複雜的乾燥技術時，增加清洗腔體有效解決產能問題，使先進儲存裝置製造商保持甚至縮短產品的生產周期。我們的18腔清洗設備將是解決這類問題的利器。Ultra C VI平衡了腔體數量配置，在實現高產能（wafer-per-hour）的同時，兼顧了與工廠自動化能力的匹配，同時也避免因腔體數量過多而面臨的設備宕機壓力。」

Ultra C VI可進行低至1y節點及以下節點的先進DRAM產品和128層及以上層數的先進3D NAND產品的單晶圓清洗。該設備可根據應用及涉及的化學方法運用於各種前道和後道制程，如聚合物去除、中段鎢或後段銅制程的清洗、沈積前清洗、蝕刻後和化學機械拋光（CMP）後清洗、深溝道清洗和RCA標準清洗。

清洗過程中可使用多種化學組合，包括標準清洗（SC1，SC2）、氫氟酸（HF）、臭氧去離子水（DI-O3）、稀硫酸雙氧水混合液（DSP，DSP +）、有機溶劑或其他制程化學品等。最多可對其中兩種化學品進行回收，節約成本。

該設備還可以采用可選的物理輔助清洗方法，例如二流體氮氣霧化水清洗或者盛美專有的空間交變相位移（SAPS）和時序能激氣穴震蕩（TEBO）兆聲清洗技術。可選配異丙醇（IPA）幹燥功能，應用於具有高深寬比的圖形片。此外，由於該設備與盛美現有設備的寬度一致，因此有助於提高晶圓廠的空間利用率，並進一步降低成本。

盛美計劃在2020年第三季度初期交付Ultra C VI給一家儲存製造廠進行評估和驗證。