快捷半導體(Fairchild Semiconductor)宣佈其性能先進的PowerTrench MOSFET製程可實現極低的Miller電荷 (Qgd)、RDS(on)、總柵極電荷 (Qg)，並改善柵漏電荷對柵源電荷 (Qgd:Qgs) 的比率，在同步降壓應用中帶來優異的開關性能和散熱效率。低Qgd的優勢在於減少開關損耗和縮短“死區時間”，以改善穩壓性能。理想的Qgd:Qgs比率可以防止柵極誤觸發以避免MOSFET用作同步整流器時會於開關MOSFET 之間產生短路電流。低RDS(on)對於降低導通損耗非常重要，而低Qg可減少每次切換中導通和關斷MOSFET所消耗的功率。快捷半導體所推出兩種新型30V MOSFET為FDS6294和FDS7288N3型號，具備改進型快速開關技術的優勢，分別適用於筆記型電腦和POL (負荷點) 轉換器設計。

Fairchild表示，新型FDS6294具有非常低的Qgd，可為高頻、窄工作週期開關應用提供優良的性能。在筆記型電腦的高效率同步降壓電源設計中，極快的開關速度是不可缺少的。在這種應用中，如果器件不能迅速導通和關斷，一般較大的輸入至輸出電壓比率和跨越上橋MOSFET的大電壓擺動常會引起過大的開關損耗。FDS6294具有3nC (典型值) 的超低Miller電荷值 (Qgd)，可以大幅縮短轉換時間，並結合最大值僅為3毫歐的低RDS(on)，性能淩駕現有的方案。FDS6294採用SO-8封裝。

除了具有低Miller電荷、低RDS(on)、低Qg和Qgd:Qgs比率 (少於1) 的出色性能外，新型FDS7288N3並採用SO-8 FLMP封裝 (倒裝引腳鑄模封裝) ，這種先進的無引線封裝技術提供極低的晶片接面至外殼熱阻 (qJC)、低電氣阻抗，以及低封裝電感。低晶片接面至外殼熱阻是通過從封裝底部直接散放熱量而實現，使得該器件的效率較傳統封裝MOSFET高出許多。較低的電氣封裝阻抗可減少靜態損耗，而封裝電感的降低也可減少開關損耗。FDS7288N3具有出色的熱性能，最適合用於高電流密度DC-DC電源應用，常見於電腦伺服器、電信設備和網際網路集線器及路由器的POL轉換器中。

快捷半導體技術市塲經理David Grey表示，「快捷半導體的新型快速開關MOSFET矽產品技術加上創新的封裝較前一代MOSFET產品大幅提升了高階開關的性能和同步整流功能。」