全球功率半導體及管理方案廠商國際整流器公司，推出全新的100V IRFB4710及IRFS4710型HEXFET功率MOSFET晶體管。新元件能增加48V輸入、半橋或全橋式電路拓樸技術(half-bridge or full-bridge topologies)的功率密度，一般適用於電訊及數據通訊設備的高性能DC-DC轉換器。

IR MOSFET晶體管

IRFB4710採用TO-220封裝，額定電流達75A，較上一代元件高三成。設計人員可利用更少的併聯元件達到所需的電流量，節省元件的體積、重量和電源供應成本。隨著數據傳輸量不斷遞增，以及電訊與數據通訊設備耗電量的相對提升，DC-DC轉換器必須能以相同或更小的面積達到更高功率水準。

最新IRFB4710及IRFS4710型MOSFET有著比舊式元件低四成的導通電阻 (RDS(on))，所以能達到更高效率和更低操作溫度。內環電路測試顯示，四枚IRFB4710在350W環境下的操作溫度，較業界標準元件低20°C。

設計人員為防止電訊設備過熱，往往耗費大量的元件空間和操作成本。IR的新元件提供了絕佳的功能，可減低用於散熱的體積和冷卻成本。隨著操作溫度下降，系統的可靠性也隨著增加。對於需維持服務運作無間斷的行業，這項功能是非常重要的。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IRFB4710 MOSFET讓高性能電訊及數據通訊DC-DC功率系統的設計人員擁有一個更有利的選擇。它可增強每立方吋的功率密度 (以瓦特計算)，有助縮減電源供應系統的體積、重量及成本。同時，該元件可降低系統溫度，提高可靠性。IR不斷致力於開發與提供領先的科技，以展現我們拓展電訊及數據通訊市場的決心。」

IRFS4710 MOSFET採用D2Pak封裝，適用於100至300 Watt機板黏著式功率系統。IRFB4710則採用TO-220封裝，適用於無線基站中的3kW至5kW鞋盒型電源供應系統。