帳號：
密碼：
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
東芝新款碳化矽MOSFET雙模組適用於工業設備
 

【CTIMES/SmartAuto 陳玨報導】   2022年01月27日 星期四
瀏覽人次：【2170】

東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成1200V、1700V和3300V元件的陣容。

東芝推出兩款1200V和1700V碳化矽MOSFET雙模組，幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備。(source:Toshiba)
東芝推出兩款1200V和1700V碳化矽MOSFET雙模組，幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備。(source:Toshiba)

新模組的安裝方式能夠與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足工業設備對更高效率和更小尺寸的需求，適合於軌道車輛的逆變器和轉換器、可再生能源發電系統、馬達控制設備及高頻DC-DC轉換器應用。
關鍵字： MOSFET模組  碳化矽  工業設備  東芝(Toshiba) 
相關產品
‧ 東芝小型光繼電器適用於半導體測試儀中高頻訊號開關
‧ 東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化
‧ 東芝推出600V小型智慧功率元件適用於無刷直流馬達驅動
‧ 東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率
‧ Toshiba小型光繼電器高速導通效能有助於縮短半導體測試時間
  相關新聞
» TI創新車用解決方案 加速實現智慧行車的安全未來
» 車電展歐特明以視覺AI實現交通事故歸零願景
» 多元事業引擎發威 友達揭示零售、教育、醫療高值化方案
» 富采深耕感測器事業 聚焦生物感測多元化應用
» 研華AIoV智慧車聯網解決方案 打造智慧交通與商用車國家隊
  相關文章
» 以協助因應AI永無止盡的能源需求為使命
» 低 IQ技術無需犧牲系統性能即可延長電池續航力
» P通道功率MOSFET及其應用
» 運用能量產率模型 突破太陽能預測極限
» 新一代4D成像雷達實現高性能

刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹 ｜  
︱ Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.146.152.99
地址:台北數位產業園區（digiBlock Taipei） 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw