Rambus公司27日宣佈推出多項創新技術，可將主記憶體運算效能從現有的DDR3資料速率限制提升到3200Mbps。透過這些創新技術，設計人員可達到更高的記憶體資料速率及更有效的傳輸性能及更佳的電源效率，同時增加需要的容量，以符合未來運算應用的需求。

Rambus研究員Craig Hampel指出，正因記憶體子系統是現今效能運算系統效能受限的主因，今日產品在多核心運算、虛擬化及晶片整合方面的進展驅動了市場對記憶體子系統需求的提升。Rambus發表的突破性創新技術可協助記憶體系統，使其有效支援流量導向的多核心處理器中的頻寬及工作量，因此可提升未來主記憶體的設計及空間，促進新一代運算平台的問世。

Rambus針對主記憶體發表的關鍵創新技術包括：

•FlexPhase技術—導入於XDR記憶體架構中，可突破DDR3直接存取技術（direct strobing technology）的速度限制，以提升資料速率。

•Near Ground Signaling—可以大幅減少的IO電源達到高效能，即便以0.5V進行運作仍然能夠維持絕佳的訊號完整性。

•FlexClocking架構 — 導入於Rambus行動記憶體（Mobile Memory Initiative），可省卻DRAM的延遲鎖定迴路（DLL）或相位鎖定迴路（PLL），以降低時脈功耗。

•模組執行緒技術（Module Threading）—提升記憶體效率並減少DRAM核心功耗，而且在結合Near Ground Signaling及FlexClocking技術時，可節省超過40%的整體記憶體系統功耗。

•動態點對點（DPP）—提供透過強大的點對點訊號處理途徑進行容量升級，完全不影響效能。