奧地利微電子公司推出256-tap SPI介面SPI介面的非揮發性雙路數位電位器AS1507,並可提供10k、50k和100k歐姆等電阻。
![奧地利微電子推EEPROM雙路8位元數位電位器](/news/2008/03/12/1924421038.jpg) |
奧地利微電子推EEPROM雙路8位元數位電位器 |
AS1507適用於各種低功耗環境,在待機模式下最高耗電率為500nA,在運作模式時,包括CMOS寫入電流在內,耗電量僅需200µA(最大值)。AS1507採用2.7V至5.5V單電源工作,端到端電阻溫度係數為90ppm/°C。AS1507具備優異的積分非線性(Iintegral Nonlinearity,INL)誤差僅為±0.5LSB(最大值)和 ±0.5LSB(最大值)的差分非線性(Differential nonlinearity,DNL)。一個靜音輸入信號可將兩個電位器寄存器的滑動端歸零。
奧地利微電子公司標準線性部門行銷總監Walter Moshammer表示:「與類比電位器及同類數位電位器相比,AS1507具有多種優勢。除了具備抗振動和衝擊、解析度更高、小尺寸以及更高性能等明顯優勢以外,AS1507還提供了一種極為可靠的EEPROM,即使在最惡劣的環境中,存儲的資訊也可以保持數十年之久,而且能經受數百萬次的寫入操作。」
AS1507數位電位器將滑動端資訊存儲在集成Hi-EPR(高耐用性、效能和超長保持時間)EEPROM,具備領先全球的重覆抹寫次數與資料保持時間。奧地利微電子的Hi-EPR EEPROM記憶體在25°C環境下能執行1000萬次的資料抹寫,在85°C時更具備驚人的100萬次抹寫能力,比傳統的高階EEPROM高出50倍。此外,在85°C的環境下,資料保存期限更長達150年,EEPROM儲存資訊的時限遠比標準高階EEPROM多出15倍。一個就緒信號用於指示寫入操作完成。