三星電子（Samsung）日前發表一款多晶片封裝 （multi-chip package; MCP）的PRAM，將在本季度稍晚專門提供給行動電話設計使用。

圖為Samsung多晶片封裝的PRAM BigPic:367x240

此款三星的512Mb MCP PRAM與40奈米級NOR Flash的軟硬體功能皆相容，此MCP亦可完全相容於以往獨立式 （stand-alone）PRAM晶片技術，可帶給行動電話設計人員相當的便利性。預計在明年之前，PRAM將被廣泛的接受，並成為在NOR Flash之後消費性電子設計使用的主要記憶體技術。

三星電子記憶體業務行銷部門副董事長Dong-soo Jun表示，透過先進MCP 解決方案而完成的PRAM不只能讓行動電話設計人員善用傳統的平台，並可進一步促進LPDDR2 DRAM與下一代PRAM技術的推出。

PRAM是透過其由鍺、銻、鈦合成的材料之相變特性來儲存資料數據，相較於NOR晶片，可提供快三倍的資料儲存效能。此款新的MCP PRAM記憶體結合了快閃記憶體的非揮發性特質與DRAM的快速能力。其簡單的元件

構造可令設計手機專用MCP晶片的過程變得更快速、更容易，並且透過運用30奈米級等更先進的製程技術，克服NOR flash技術長期以來所存在的設計難題。

作為NOR的替代技術，PRAM更能輕易地滿足手機與其他行動裝置對於快速、高密度非揮發性記憶體的需求，例如MP3、個人多媒體播放器與導航裝置。三星持續的投入PRAM與其他先進記憶體晶片的研發，以完成更快速的“寫入”功能，可以減少在拍攝相片、提供多媒體訊息與錄製影像時資料儲存所需的待機時間。快速寫入功能對於數位儲存與消費性電子裝置

的產品多元延伸是很重要的，例如固態硬碟（SSD）與高畫質電視。