Fairchild，現在是安森美半導體的一部分，今天推出其 SuperFET III 650V N 通道 MOSFET 系列，這是公司推出的新一代 MOSFET，能夠滿足最新的電信、伺服器、電動汽車 (EV) 充電器及光伏產品對於更高功率密度、系統效率及出色的可靠性方面的要求。

SuperFET III MOSFET具備更佳效率、EMI 及耐用性，能夠滿足耐用性及可靠性方面的嚴苛要求。

SuperFET III MOSFET 系列兼具同類最佳化的可靠性、低 EMI、出色的效率以及熱效能，適合於高效能應用。除了出色的效能特性，其廣泛的封裝選擇更是錦上添花，賦予產品設計者更大的靈活性，對於尺寸受限的設計尤其如此。

Fairchild 大功率工業應用事業部副總裁兼總經理趙進表示︰「無論產業為何，我們的客戶都在不斷尋求以動態方式增強每一代新產品的效率、效能及可靠性，同時致力於加速新產品的上市。在設計全新 SuperFET III MOSFET 時，除了可幫助客戶滿足其關鍵產品目標，我們還將確保元件可降低物料成本，縮減電路板空間以及簡化產品設計。」

在任何驅動簡易的超接面 MOSFET 中，SuperFET III 技術均可實現最低 Rdson，同時提供同類最佳效率。該產品能夠實現這一優勢是因為它採用了先進的電荷平衡技術，相較其 SuperFET II 前代產品，在封裝尺寸相同的情況下，Rdson 可降低 44%。

SuperFET III 系列具有耐用性及可靠性，其中的關鍵因素在於其二極體以及優於其最相近競爭產品三倍的單脈衝崩潰能量 (EAS) 效能。650V SuperFET III系列在關斷期間具有較低的峰值汲源極電壓，在低溫運行時可增強系統可靠性，因為相較於室溫，在接面溫度為 -25℃ 的條件下，崩潰電壓自然而然地降低 5%，且峰值汲源極電壓在低溫下會增加。

這些可靠性優勢對於諸如光伏逆變器、不間斷電源 (UPS) 及 EV 充電器等應用尤其重要，此類應用必須能夠耐受更高或更低地外部環境溫度。SuperFET III MOSFET 系列今日上市。（編輯部陳復霞整理）