自然期刊（Nature）20日報導，現在的製程使用光線或腐蝕性化學藥劑，在矽晶圓上蝕刻。全新的製程技術，則使用石英模具在熔化的矽上印刻。普林斯頓大學電子工程教授史帝芬‧周 (Stephen Y. Chou)說：「我們製程技術的優點，是能夠把體積縮小十分之一。」如果未來研究證實這種製程技術確實可行，將為半導體產業帶來創新。

史帝芬‧周的研究團隊已製造出140奈米的電路，並在報告中說明10奈米製程的相關細節。現行的蝕刻技術，最小製程為30 奈米到70奈米。使用傳統蝕刻技術製造單一晶片需時20分鐘，使用史帝芬‧周的新技術，只需四百萬分之一秒。

新製程的發展基礎是機械印刷。首先把電路刻在石英模具上，然後將石英模具放在矽晶圓上，再用雷射光熔化矽，就能將電路印在矽晶圓上。

史丹福大學電子工程教授皮斯（R. Fabian Pease）表示，1960年代半導體產業也曾嘗試類似的製程技術，但因持續出現瑕疵而放棄。他說：「但是這幾十年來，良率控製已有很大的進步。」史帝芬‧周將這項技術稱為雷射輔助直接印刷技術（LADI）。