Diodes公司推出NPN與PNP功率雙極電晶體，採用小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達100V與3A的應用提供更高的功率密度。新款NPN與PNP電晶體的尺寸較小，可在閘極驅動功率MOSFET與IGBT、線性DC-DC降壓穩壓器、PNP LDO及負載開關電路，提供更高的功率密度設計。

DXTN07xxxxFG(NPN)與DXTP07xxxxFG(PNP)系列以工業級消費性市場為目標，範圍涵蓋25V至100V VCEO；同時具備2W總功率消耗及最高+175°C額定作業溫度。新款電晶體採外殼用小型PowerDI 3333表面黏著封裝，尺寸僅3.3mm x 3.3mm x 0.8mm，佔用PCB的空間比傳統SOT223少70%，以散熱效率更高的封裝提供類似的功率消耗。

PowerDI3333封裝具有可潤濕側翼(wettable flank)，可提高PCB傳輸速率，促進焊接點的高速自動光學檢查(AOI)，因此無需使用X光檢查。