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英飞凌全新CoolGaN Drive产品系列整合驱动器单开关和半桥 (2024.09.20)
消费电子和工业应用领域正趋向便携化、电气化、轻量化等多样化发展,因此需要紧凑高效的设计,同时还需采用非常规PCB设计,但此类设计面临严格的空间限制,从而限制外部元件的使用
仪科中心SEMICON展现自主研制实绩 助半导体设备链在地化 (2024.09.04)
因应半导体元件制程与先进晶片封装技术之应用发展,国家实验研究院台湾仪器科技研究中心(国研院仪科中心)全力投入自研自制半导体高阶仪器设备及关键零组件,协助台湾半导体设备供应链在地化发展,於今(4)日SEMICON Taiwan 2024展现近期研发成果,并安排真空技术与光学领域专家到场与业界人士对谈,了解产业需求及技术瓶颈
纬湃采用英飞凌CoolGaN电晶体打造高功率密度DC-DC转换器 (2024.09.03)
在电动汽车和混合动力汽车中,少不了用於连接高电压电池和低电压辅助电路的DC-DC转换器,而它对於开发更多具有低压功能的经济节能车型也很重要。由TechInsights的资料显示,2023年全球汽车DC-DC转换器的市场规模为40亿美元,预计到2030年将增长至110亿美元,预测期内的复合年增长率为15%
HBM应用优势显着 高频半导体测试设备不可或缺 (2024.08.27)
HBM技术将在高效能运算和AI应用中发挥越来越重要的作用。 尽管HBM在性能上具有显着优势,但在设计和测试阶段也面临诸多挑战。 TSV技术是HBM实现高密度互连的关键,但也带来了测试的复杂性
SEMICON Taiwan秀台湾聚落实力 先进封装技术与设备成焦点 (2024.08.05)
台湾在半导体制程及封装技术方面位居全球领先地位,拥有多家世界顶尖的晶圆代工、封测厂及全球最完整的半导体聚落,亦带动周边产业链的技术发展。即将於9月4~6日举办的SEMICON Taiwan 2024 国际半导体展
M31与高塔半导体合作 开发65奈米SRAM和ROM记忆体 (2024.08.04)
M31 Technology宣布与高塔半导体(Tower Semiconductor)合作,成功开发65奈米制程的SRAM(静态随机存取记忆体)和ROM(唯读记忆体)IP产品,并将设计模组交付客户端完成验证,搭配此平台的低功耗元件Analog FET(类比场效电晶体)所设计的电路架构,能够满足SoC晶片严格的低功耗要求
英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26)
随着人工智慧(AI)处理器对功率的要求日益提高,伺服器电源(PSU)必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年,每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上
瑞士晶片商Kandou:看好AI引领高速传输需求 (2024.06.11)
人工智慧(AI)正在重??电子科技的发展轮廓,除了逻辑处理单元与记忆体开始改朝换代,相关的I/O传输技术也必须跟着推陈出新。看准这个趋势,一家瑞士晶片商Kandou也现身今年的COMPUTEX展场上,以独家的高速传输技术要在AI世代中一展拳脚
R&S SMB100B微波信号产生器 可用於类比信号产生 (2024.05.07)
R&S SMB100B微波信号产生器由Rohde & Schwarz提供,具有四个频率选项,每个选项覆盖范围从8 kHz到12.75GHz,20GHz,31.8GHz或40GHz。特色在於输出功率、信号纯度、低临近相位杂讯以及近??零的宽频杂讯,极适用於类比微波的信号产生
电动压缩机设计ASPM模组 (2024.04.25)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件,对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用,本文重点探讨逆变电路ASPM模组方案。
工研院主办VLSI TSA研讨会登场 聚焦异质整合与小晶片、高速运算、AI算力 (2024.04.23)
在经济部产业技术司支持下,今(23)日由工研院主办的「2024国际超大型积体电路技术研讨会(VLSI TSA)」已逾41年,今年更聚焦人工智慧(AI)带来的科技革新,汇集国内外产官学研超过60位专家共襄盛举
英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能 (2024.04.19)
近年来全球光储系统(PV-ES)市场快速增长。光储市场竞争加速,提高功率密度成为厂商得胜关键;英飞凌科技(Infineon)为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件,共同推动绿色能源发展
摄阳更名为「台湾三菱电机自动化」 强化三菱电机在台FA产品业务 (2024.04.18)
随着当前以半导体、电子制造为主力的台湾企业,正透过前所未见的速度迈向全球化发展,三菱电机与其全球网路的连系强化,以及对应用户多样化的需求成为当务之急。包括2023年甫欢厌在台湾成立50周年的摄阳企业,也宣布自今年4月1日起更名为「台湾三菱电机自动化股份有限公司」
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技(Infineon)推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装
英飞??全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列促进汽车和工业发展 (2024.03.29)
英飞凌科技(Infineon)推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET,以满足工业和汽车电源应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级 SiC MOSFET,针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双主动式桥式(DAB)、HERIC、降压/升压和相移全桥(PSFB)拓扑结构进行了优化
英飞凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 产品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飞凌科技(Infineon)推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V装置,除了能够满足设计人员对更高功率密度的需求,即使面对严格的高电压和开关频率要求,也能够维持系统的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率
保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展,从而实现更高的效能和更小的尺寸,并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。
台团队实现二维材料铁电电晶体 次世代记忆体内运算有??成真 (2024.02.21)
由台湾师范大学物理系蓝彦文教授与陆亭桦教授组成的联合研究团队,在铁电材料领域取得了重大突破,开发出基於二维材料二硫化??的创新铁电电晶体(ST-3R MoS2 FeS-FET),厚度仅有1
2024.2月(第387期)智慧住宅 (2024.02.02)
物联网技术问世多年之後,终於在近期慢慢酝酿出更具体的应用样貌。 尤其在新一代无线技术与半导体元件,以及通讯标准陆续到位之後, 更让原本擘画的愿景接近现实
英飞凌新款160 V双通道闸极驱动IC适用於电池供电应用 (2024.01.04)
英飞凌科技(Infineon)宣布其汽车和工业电机控制应用的MOTIX双通道闸极驱动IC系列添新品,包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。这些160 V的绝缘层上覆矽(SOI)闸极驱动器均为小型闸极驱动器解决方案,具有出色的抗闩锁能力,适合於电池供电应用,如无线电动工具、多轴飞行器、无人机,以及电池电压高达120 V的轻型电动车等


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