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英飛凌全新CoolGaN Drive產品系列整合驅動器單開關和半橋 (2024.09.20)
消費電子和工業應用領域正趨向便攜化、電氣化、輕量化等多樣化發展，因此需要緊湊高效的設計，同時還需採用非常規PCB設計，但此類設計面臨嚴格的空間限制，從而限制外部元件的使用 |
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[SEMICON] 儀科中心展現自主研製實績 助半導體設備鏈在地化 (2024.09.04)
因應半導體元件製程與先進晶片封裝技術之應用發展，國家實驗研究院台灣儀器科技研究中心（國研院儀科中心）全力投入自研自製半導體高階儀器設備及關鍵零組件，協助台灣半導體設備供應鏈在地化發展，於今（4）日SEMICON Taiwan 2024展現近期研發成果，並安排真空技術與光學領域專家到場與業界人士對談，了解產業需求及技術瓶頸 |
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緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03)
在電動汽車和混合動力汽車中，少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器，而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示，2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元，預計到2030年將增長至110億美元，預測期內的複合年增長率為15% |
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HBM應用優勢顯著 高頻半導體測試設備不可或缺 (2024.08.27)
HBM技術將在高效能運算和AI應用中發揮越來越重要的作用。
儘管HBM在性能上具有顯著優勢，但在設計和測試階段也面臨諸多挑戰。
TSV技術是HBM實現高密度互連的關鍵，但也帶來了測試的複雜性 |
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SEMICON Taiwan秀台灣聚落實力 先進封裝技術與設備成焦點 (2024.08.05)
將於9月4~6日舉辦的SEMICON Taiwan 2024 國際半導體展，今（5）日宣佈將規劃業界最關注的異質整合及材料專區，同時邀請英特格（Entegris）、環球晶圓（GlobalWafers）、三星電子（Samsung Electronic）、SK海力士（SK hynix）等企業於異質整合系列論壇，及策略材料高峰論壇中分享及探討半導體先進封裝與材料技術 |
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M31與高塔半導體合作 開發65奈米SRAM和ROM記憶體 (2024.08.04)
M31 Technology宣布與高塔半導體（Tower Semiconductor）合作，成功開發65奈米製程的SRAM（靜態隨機存取記憶體）和ROM（唯讀記憶體）IP產品，並將設計模組交付客戶端完成驗證，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（類比場效電晶體）所設計的電路架構，能夠滿足SoC晶片嚴格的低功耗要求 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
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瑞士晶片商Kandou：看好AI引領高速傳輸需求 (2024.06.11)
人工智慧（AI）正在重朔電子科技的發展輪廓，除了邏輯處理單元與記憶體開始改朝換代，相關的I/O傳輸技術也必須跟著推陳出新。看準這個趨勢，一家瑞士晶片商Kandou也現身今年的COMPUTEX展場上，以獨家的高速傳輸技術要在AI世代中一展拳腳 |
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R&S SMB100B微波信號產生器 可用於類比信號產生 (2024.05.07)
R&S SMB100B微波信號產生器由Rohde & Schwarz提供，具有四個頻率選項，每個選項覆蓋範圍從8 kHz到12.75GHz，20GHz，31.8GHz或40GHz。特色在於輸出功率、信號純度、低臨近相位雜訊以及近乎零的寬頻雜訊，極適用於類比微波的信號產生 |
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電動壓縮機設計—ASPM模組 (2024.04.25)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用，本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。 |
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工研院VLSI TSA研討會登場 聚焦異質整合與小晶片、HPC、AI (2024.04.23)
在經濟部產業技術司支持下，今（23）日由工研院主辦的「2024國際超大型積體電路技術研討會（VLSI TSA）」已逾41年，今年更聚焦人工智慧（AI）帶來的科技革新，匯集國內外產官學研超過60位專家共襄盛舉 |
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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
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攝陽更名為「台灣三菱電機自動化」 強化在台FA產品業務 (2024.04.18)
隨著當前以半導體、電子製造為主力的台灣企業，正透過前所未見的速度邁向全球化發展，三菱電機與其全球網路的連繫強化，以及對應用戶多樣化的需求成為當務之急。包括2023年甫歡慶在台灣成立50週年的攝陽企業，也宣佈自今年4月1日起更名為「台灣三菱電機自動化股份有限公司」 |
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英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技（Infineon）推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝 |
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英飛淩全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列促進汽車和工業發展 (2024.03.29)
英飛凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式（DAB）、HERIC、降壓/升壓和相移全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化 |
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英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飛凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置，除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展，從而實現更高的效能和更小的尺寸，並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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台團隊實現二維材料鐵電電晶體 次世代記憶體內運算有望成真 (2024.02.21)
由臺灣師範大學物理系藍彥文教授與陸亭樺教授組成的聯合研究團隊，在鐵電材料領域取得了重大突破，開發出基於二維材料二硫化鉬的創新鐵電電晶體(ST-3R MoS2 FeS-FET)，厚度僅有1 |
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2024.2月(第387期)智慧住宅 (2024.02.02)
物聯網技術問世多年之後，終於在近期慢慢醞釀出更具體的應用樣貌。
尤其在新一代無線技術與半導體元件，以及通訊標準陸續到位之後，
更讓原本擘畫的願景接近現實 |
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英飛凌新款160 V雙通道閘極驅動IC適用於電池供電應用 (2024.01.04)
英飛凌科技（Infineon）宣佈其汽車和工業電機控制應用的MOTIX雙通道閘極驅動IC系列添新品，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。這些160 V的絕緣層上覆矽（SOI）閘極驅動器均為小型閘極驅動器解決方案，具有出色的抗閂鎖能力，適合於電池供電應用，如無線電動工具、多軸飛行器、無人機，以及電池電壓高達120 V的輕型電動車等 |
