Diodes的雙極電晶體採用3.3mm x 3.3mm封裝並提供更高的功率密度 (2019.03.12) Diodes公司推出NPN與PNP功率雙極電晶體,採用小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm),可為需要高達100V與3A的應用提供更高的功率密度。新款NPN與PNP電晶體的尺寸較小,可在閘極驅動功率MOSFET與IGBT、線性DC-DC降壓穩壓器、PNP LDO及負載開關電路,提供更高的功率密度設計
科技部與PnP 引領台灣新創團隊前進美國矽谷 (2018.08.27) 由科技部指導、國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心執行之「亞洲矽谷創新創業鏈結計畫-預見新創」,今年持續與Plug and Play Tech Center (PnP) 合作,於美西時間8月23日假美國矽谷的PnP舉辦新創媒合會【Taiwan Demo Day】活動
NXP-Double low VCEsat (BISS) transistors in DFN2020-6 (2013.06.20) Low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.