Cree謀轉型發展碳化矽 獨霸SiC晶圓市場
全球碳化矽業者技術與策略觀察專欄(一)
作者\約書亞
相較於第一代半導體材料的矽(Si)與第二代半導體材料的砷化鎵(GaAs),碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性,更適合5G基地台、電動車充電樁等應用領域
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