新一代單片式整合氮化鎵晶片
升級功率電路性能
作者\imec
氮化鎵或氮化鋁鎵(AlGaN)的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場,結合HEMT的電晶體結構,就能打造新一代的元件與晶片。
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