霍爾效應測量基礎

霍爾效應測量基礎
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【課程簡介】：
     這個研討會是設計為介紹電容電壓測試這個主題，主要為其與半導體元件及材料特性的關聯。電容電壓測試普遍被使用來決定半導體參數，如摻雜濃度分布、介面能階密度、起始電壓、氧化物電荷、和載子生命期。
      這次研討會將幫助你改善 ,診斷和確認C-V量測系統. 並討論如何得到良好C-V量測資料.
      探討的主題包括系統建立和另外談到其他C-V應用,如高壓CV及準靜態CV.
     此次研討會參與者 , 將會學習及瞭解如下 :
     Connecting a C-V instrument to a probe station properly 如何適當地連接 C-V儀器至探針系統
     本次研討會將以霍爾效應的測量為主題，介紹它們與半導體材料和元件特徵分析的關係。霍爾效應測量系統通常用於測量半導體參數，例如載子遷移率和載子濃度、霍爾係數和導電率以及導電型。
     參加本次研討會可以瞭解到：
     什麼是霍爾效應測量？
     哪些人員會用到霍爾效應測量？
     推動霍爾效應測量需求的行業趨勢是什麼？
     在選擇霍爾效應測量所需的設備時應注意哪些關鍵問題？

【課程費用】： 此為免費課程

【講義下載】：

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