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霍爾效應測量基礎

這個研討會是設計為介紹電容電壓測試這個主題，主要為其與半導體元件及材料特性的關聯。電容電壓測試普遍被使用來決定半導體參數，如摻雜濃度分布、介面能階密度、起始電壓、氧化物電荷、和載子生命期。
 這次研討會將幫助你改善 ,診斷和確認C-V量測系統. 並討論如何得到良好C-V量測資料.
 探討的主題包括系統建立和另外談到其他C-V應用,如高壓CV及準靜態CV.
此次研討會參與者 , 將會學習及瞭解如下 :
Connecting a C-V instrument to a probe station properly 如何適當地連接 C-V儀器至探針系統
本次研討會將以霍爾效應的測量為主題，介紹它們與半導體材料和元件特徵分析的關係。霍爾效應測量系統通常用於測量半導體參數，例如載子遷移率和載子濃度、霍爾係數和導電率以及導電型。

參加本次研討會可以瞭解到：
什麼是霍爾效應測量？
哪些人員會用到霍爾效應測量？
推動霍爾效應測量需求的行業趨勢是什麼？
在選擇霍爾效應測量所需的設備時應注意哪些關鍵問題？

合作夥伴

主辦單位

美商吉時利儀器

交通資訊

活動時間：52分鐘56秒

活動地點：美國俄亥俄州克里夫蘭市

活動報名

立即報名

參加辦法

參加方式：免費參加

注意事項：

1. 一般免費活動，將由主辦單位進行出席資格審核，通過審核後您將於活動日期前三日收到報到通知信函。

2. 請於活動當日報到時，以紙本或螢幕出示通知信函中之報到編號，以快速完成報到。

3. 活動當天，若報名者不克參加，可指派其他人選參加，並請事先通知主辦單位。

4. 若因不可預測之突發因素，主辦單位得保留研討會課程主題及講師之變更權利。

5. 活動若適逢颱風達放假標準等天災之不可抗拒之因素，將延期舉辦，時間則另行通知。