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讨论文章主题﹕可在量产中实现良率管理的STT-MRAM磁性测试

文章 提要
由于STT-MRAM（自旋转移距－磁性随机存取记忆体）具有快速、非挥发性、耐用，低功耗和可扩展的优点，是目前正迅速获得关注的新记忆体技术之一。它是替代eFlash的强大候选者，尤其是对汽车、物联网和其他低功耗应用特别有吸引力。然而，为了支援在高产量时所需要的高良率，它需要新的测试方法。 STT-MRAM技术是一种电阻式记忆体，由于装置的磁性状态，使其资讯位元（bit）可以被储存在其中。它是基于磁性穿隧接面（MTJ），一种同时具备非挥发性、高速、可靠、可扩展且低功耗的基本自旋电子元件。 MTJ被整合在CMOS制程的互连层中，它的结构像是三明治一样，有两个铁磁层，分别称为自由层（FL）和参考层（RL），并由作为隧道位障的薄绝缘体隔开

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