光电转换技术又有新突破。日本的科学家研发出一种新的PV芯片技术，他们在传统的P型GaN薄膜上增添一层钴，并将之制成N型的材料（图右），而该芯片吸收层约为10x10mm，周围长方型的是电极。图左是无钴的P型GaN薄膜。此新技术不但能吸收可见光，包含红外线与紫外线都能转换为电能，将有望生产无多重接点的高性能光电产品。（图/Physorg）