單元三：LED原理製程與高效能高功率InGaN LED設計

2012年08月03日 星期五 【科技日報報導】
活動名稱： 單元三：LED原理製程與高效能高功率InGaN LED設計
開始時間： 八月三日(五) 00:00 結束時間： 八月三日(五) 00:00
主辦單位： 工業技術研究院
活動地點： 工研院產業學院 台北學習中心
聯絡人： 陳小姐 聯絡電話： (02)-2370-1111#313
報名網頁： http://college.itri.org.tw/
相關網址： http://college.itri.org.tw/

課程介紹

本課程著重於使學員瞭解LED原理與製程技術。探討現今影響發光二極體效能之因素，並以實驗結果結合模擬理論分析清楚地介紹其機制為何，使得學員不單單只是了解到發光二極體之結構設計，更可清楚的了解其背後之物理機制等，並分享實際案例與現今文獻作比較。

�s�i

另對於氮化物發光二極體有詳盡的介紹介紹，透過模擬理論分析與實驗結果講述高效率高功率InGaN LED如何設計與成長。讓欲從事發光二極體磊晶製程人士更加了解高效能氮化物發光二極體之磊晶結構，縮短切入的時間與提升基礎的知識

講師介紹

林教授_國立交通大學光電系統研究所助理教授

傅博士_工研院電光所

其他內容

101/07/06(五)單元一:LED磊晶及MOCVD設備技術與專利分析

101/07/20(五)單元二: LED量測與真空鍍膜設備技術

101/08/03(五)單元三: LED原理製程與高效能高功率InGaN LED設計

101/08/17(五)單元四: MOCVD磊晶技術製程實作研習班※本課程為實作課程 限額12位!

關鍵字: 工業技術研究院