Diodes的双极电晶体采用3.3mm x 3.3mm封装并提供更高的功率密度 (2019.03.12) Diodes公司推出NPN与PNP功率双极电晶体,采用小尺寸封装(3.3mm x 3.3mm),可为需要高达100V与3A的应用提供更高的功率密度。新款NPN与PNP电晶体的尺寸较小,可在闸极驱动功率MOSFET与IGBT、线性DC-DC降压稳压器、PNP LDO及负载开关电路,提供更高的功率密度设计
科技部与Plug and Play Tech Center 引领新创团队前进美国矽谷 (2018.08.27) 由科技部指导、国家实验研究院科技政策研究与资讯中心执行之「亚洲矽谷创新创业链结计画━预见新创」,今年持续与Plug and Play Tech Center (PnP) 合作,於美西时间8月23日假美国矽谷的PnP举办新创媒合会【Taiwan Demo Day】活动
NXP-Double low VCEsat (BISS) transistors in DFN2020-6 (2013.06.20) Low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.