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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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愛德萬測試：AI與HPC持續驅動半導體測試成長 加速拓展類比測試領域 (2025.01.03)
隨著人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）、以及高頻寬記憶體（HBM）需求的迅速增長，全球半導體測試設備市場持續迎來蓬勃發展。在此背景下，愛德萬測試（Advantest）不僅展現了對市場前景的樂觀態度，還透過技術合作與產品創新，積極應對新一代半導體技術的挑戰 |
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臺科大半導體研究所結合產業資源 布局矽光子與先進封裝領域 (2025.01.02)
為因應半導體產業快速變遷與人才需求，國立臺灣科技大學於113學年度成立「先進半導體科技研究所」，聚焦矽光子技術、複合半導體材料及先進封裝等前瞻領域。臺科大並藉由國科會晶創計畫建置的矽光子測量、封裝設備活化華夏校區，為產業及學生提供完整的學習與實作環境、擴大產學合作，提升半導體人才培育綜效 |
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DRAM製程節點持續微縮並增加層數 HBM容量與性能將進一步提升 (2025.01.02)
生成式AI快速發展，記憶體技術成為推動這一技術突破的關鍵。生成式 AI 的模型訓練與推理需要高速、高頻寬及低延遲的記憶體解決方案，以即時處理海量數據。因此，記憶體性能的提升已成為支撐這些應用的核心要素 |
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IEEE公布2024十大熱門半導體文章 揭示產業未來趨勢 (2024.12.31)
IEEE spectrum日前精選了2024年最受歡迎的十大熱門半導體文章，作為回顧一整年的總結，同時也展望2025的新發展，以下就是其精選的內容：
1. 兆級電晶體GPU: 台積電預測十年內單個GPU將容納一兆個電晶體 |
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首款新型TPSMB非對稱TVS二極體為汽車SiC MOSFET 提供卓越的柵極驅動器保護 (2024.12.31)
Littelfuse今日宣布推出TPSMB非對稱TVS二極體系列，這是首款上市的非對稱瞬態電壓抑制（TVS）二極體，專門用於保護汽車應用中的碳化矽（SiC）MOSFET閘極驅動器。 這項創新產品滿足下一代電動車(EV) 系統對可靠過壓保護日益增長的需求，提供一種結構緊湊的單元件解決方案，取代了傳統用於柵極驅動器保護的多個齊納二極管或TVS 元件 |
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意法半導體先進的STGAP3S電隔離閘極驅動器 為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能 (2024.12.30)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）新 STGAP3S 系列碳化矽（SiC） 和 IGBT 功率開關閘極驅動器整合了最新之穩定的電隔離技術、優化的去飽和保護功能，以及靈活的米勒鉗位架構 |
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工研院勾勒南台灣產業新藍圖 啟動AI與半導體雙引擎 (2024.12.27)
工研院今（27）日舉行「AI賦能．半導體領航－2024南台灣產業策略論壇」，邀請多位產官學研領袖與會，聚焦於南台灣成熟的半導體供應鏈與技術優勢，並結合快速崛起的AI技術，呼籲與會者及早布局「半導體南向，產業鏈聚能量」與「產業AI化、AI平民化」雙引擎的產業架構，共創新商機 |
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Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25% |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
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LG Display推出全球首款可伸縮螢幕 (2024.12.23)
LG Display日前於首爾LG科學園區發表全球首款可伸縮螢幕，將顯示技術推向嶄新境界。這款突破性創新產品可延伸至原始尺寸的1.5倍，實現前所未有的顯示靈活性。
這款12吋螢幕採用矽基板和微型LED光源，可延伸至18吋，同時保持高清畫質（100ppi）和完整的RGB色彩表現 |
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創新在宅醫療 南臺科大智慧健康醫療科技研究中心展示成果 (2024.12.18)
南臺科技大學智慧健康醫療科技中心日前舉辦2024年研發成果作品展示，智慧健康醫療科技研究中心為該校執行高等教育深耕計畫第2部分特色領域研究中心的單位及計畫。本計畫即將滿2年，此次展示15項研發成果作品 |
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imec推出無鉛量子點短波紅外線感測器 為自駕和醫療帶來全新氣象 (2024.12.17)
於本周舉行的2024年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）攜手其比利時Q-COMIRSE研究計畫的合作夥伴，展示第一款包含砷化銦（InAs）量子點光電二極體的短波紅外線影像（SWIR）感測器原型 |
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Anritsu 安立知年度盛會展現 AI 熱潮驅動無線通訊與高速介面技術飛速革新 (2024.12.17)
人工智慧 (AI) 熱潮在 2024 年持續升溫，從雲端資料中心到邊緣裝置的應用不斷擴展，成為推動各種技術標準快速演進的核心力量。乙太網路 (Ethernet)、PCI Express (PCIe) 及 USB，以及 5G/B5G/6G 和 Wi-Fi 6/7 等無線通訊技術，持續在頻寬和傳輸速率上實現升級 |
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台積電發表N2製程技術 2奈米晶片效能再升級 (2024.12.16)
台積電本週於舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，發表了其下一代名為N2的2奈米電晶體技術，也是台積電全新的電晶體架構－環繞閘極(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也擁有生產類似電晶體的製程，英特爾和台積電，以及日本的Rapidus都預計在2025年開始量產 |
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超高亮度Micro-LED突破綠光瓶頸 開啟顯示技術新紀元 (2024.12.15)
根據《nature》期刊，氮化鎵Micro-LED陣列亮度突破10x7尼特，實現高達1080×780像素的高密度微型顯示器。這一突破克服了晶圓級高質量磊晶生長、側壁鈍化、高效光子提取和精巧的鍵合技術等長期挑戰，為AR/VR設備、可穿戴設備和下一代消費電子產品帶來巨大優勢 |
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碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域 |
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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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IBM光學互連技術突破 資料中心能耗降低80% (2024.12.09)
為了解決資料中心能耗與運行效能的難題，IBM提出了一項新的技術來因應。該公司發表了一種全新的共封裝光學（CPO）製程，將光學元件直接與電子晶片整合在單一封裝內，使資料中心內的設備能夠以光速進行連接 |
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開源:再生能源與永續經營 (2024.12.09)
電源的獲取來自於能源的開發，而面對全球氣候變遷與環境保護的壓力，尋找可永續經營的能源變得更加重要，這其中尤以綠色能源和再生能源的開發尤為受到矚目。 |
