 |
GenAI时代需求高速资料处理效能 3D NAND技术将无可取代 (2024.12.16)
随着生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）与边缘运算的快速发展，全球对高效能、高容量储存技术的需求急速攀升。虽然GPU与DRAM常被视为推动AI发展的核心，3D NAND技术凭藉其优异的储存密度、可靠性与能源效率，成为支撑AI应用的关键基石，默默扮演着「隐形推手」的角色 |
 |
HBM应用优势显着 高频半导体测试设备不可或缺 (2024.08.27)
HBM技术将在高效能运算和AI应用中发挥越来越重要的作用。
尽管HBM在性能上具有显着优势，但在设计和测试阶段也面临诸多挑战。
TSV技术是HBM实现高密度互连的关键，但也带来了测试的复杂性 |
|
AI运算方兴未艾 3D DRAM技术成性能瓶颈 (2024.08.21)
HBM非常有未来发展性，特别是在人工智慧和高效能运算领域。随着生成式AI和大语言模型的快速发展，对HBM的需求也在增加。主要的记忆体制造商正在积极扩展采用3D DRAM堆叠技术的HBM产能，以满足市场需求 |
|
科林研发推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术 加速3D NAND在AI时代的微缩 (2024.08.06)
Lam Research 科林研发推出 Lam Cryo 3.0，这是该公司经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术，扩大了在 3D NAND 快闪记忆体蚀刻领域的领先地位。随着生成式人工智慧（AI）的普及不断推动更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Cryo 3.0 为未来先进 3D NAND 的制造提供了至关重要的蚀刻能力 |
|
Lam Research以Lam Cryo 3.0 低温蚀刻技术加速实现3D NAND目标 (2024.08.06)
随着生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能记忆体的需求，Lam Research科林研发推出第三代低温介电层蚀刻技术Lam Cryo 3.0，已经过生产验证，扩大在3D NAND快闪记忆体蚀刻领域的地位 |
|
从应用端看各类记忆体的机会与挑战 (2024.07.02)
各类记忆体在不同领域也就各具优势和挑战。随着技术的进步和应用需求的多样化，记忆体技术将向更高性能、更低功耗和更大容量的方向发展，也会有各类同质或异质性记忆体整合的平台，来提供更加完善的解决方案 |
|
记忆体应用发展的关键指标 (2024.07.01)
记忆体发展轨迹是随着越来越庞大的运算与感测功能而亦步亦趋，其应用发展的关键指标就会以容量、速度为重点来观察。当容量与速度越来越大、越来越快，可靠度也是未来发展的关键指标 |
|
工研院探讨生成式AI驱动半导体产业 矽光子与先进封装成关键 (2024.06.21)
在工研院连续举办两天的「生成式AI驱动科技产业创新与机遇系列研讨会」第二天（20日）场次，同样由产学专家深度剖析生成式AI带来的半导体产业机会，共涵盖IC设计、制造到封装各阶段，协助业者掌握晶片设计、制造与封装的最新进展，并指出矽光子与先进封装将是未来应用发展关键 |
|
台湾AI关键元件的发展现况与布局 (2024.06.13)
就人工智慧（AI）装置的硬体来看，关键的零组件共有四大块，分别是逻辑运算、记忆体、PCB板、以及散热元件。他们扮演着建构稳定运算处理的要角，更是使用者体验能否优化的重要辅助 |
|
AI PC华丽登场 引领算力为王的时代 (2024.05.28)
AI PC的普及需要软硬体共同发展，在处理器、记忆体和作业系统等技术的进步，AI PC应用将更加丰富，并成为未来PC产业的重要趋势。 |
|
AI世代的记忆体 (2024.05.28)
AI运算是专门处理AI应用的一个运算技术，是有很具体要解决的一个目标，而其对象就是要处理深度学习这个演算法，而深度学习跟神经网路有密切的连结，因为它要做的事情，就是资料的辨识 |
|
SEMI：半导体产能将创3,000万片新高 受惠於AI与HPC终端应用需求 (2024.01.04)
SEMI国际半导体产业协会今（4）日公布最新一季全球晶圆厂预测报告（World Fab Forecast, WFF），全球半导体产能继2023年以5.5%成长至每月2,960万片晶圆（wpm, wafers per month）之後，预计2024年将增速成长6.4%，突破3,000万片大关 |
|
展现工控方案实力 宇瞻将2023 SPS国际工业自动化展登场 (2023.11.07)
Apacer宇瞻科技，将於11月14日至16日首次亮相SPS国际工业自动化展（SPS－Smart Production Solutions）。展期间将秀其高效能之工业用SSD、DRAM记忆体模组与创新技术，展示如何全面协助工业自动化产业提升资料安全性与完整性及电源稳定性（Hall 6，350号展位） |
|
Solidigm推出为写入密集型工作负载而设计的SLC SSD (2023.09.27)
Solidigm宣布为资料中心市场推出该公司首款超高速single-level cell（SLC）固态硬碟（SSD）━Solidigm D7-P5810，这是一款采用Solidigm成熟144层SLC 3D NAND的PCIe 4.0储存装置。
作为Solidigm高效能D7系列产品的新成员，D7-P5810专门为高耐用度和极端写入密集型工作负载而设计 |
|
堆叠层数再升级 储存容量免焦虑 (2023.08.28)
本次要介绍的产品，是来自SK海力士（SK Hynix）最新的一项记忆体产品，它就是目前全球最高层树的「321层NAND快闪记忆体」。 |
|
imec观点：微影图形化技术的创新与挑战 (2023.05.15)
此篇访谈中，比利时微电子研究中心（imec）先进图形化制程与材料研究计画的高级研发SVP Steven Scheer以近期及长期发展的观点，聚焦图形化技术所面临的研发挑战与创新。 |
|
中华精测正式进军面板驱动IC测试市场 (2023.04.27)
现在面板驱动IC业者不必再为了提升传统探针卡测试效率而加购备卡。中华精测科技今（27）日召开2023年第一季营运说明会，中华精测科技总经理黄水可在会议中宣布，自4月起正式进军面板驱动IC测试市场，新推出的DDI专用MEMS探针卡，将搭配「一卡抵双卡」服务、提供单日完成保固维修 |
|
??侠和Western Digital宣布最新3D快闪记忆体技术资讯 (2023.03.31)
??侠公司 (Kioxia ) 和Western Digital 公司宣布最新 3D 快闪记忆体技术资讯，展示持续创新。该 3D 快闪记忆体采用先进的缩放和晶圆键合技术，提供卓越的容量、性能和可靠性，适合满足广泛市场领域呈指数级增长的资料需求 |
|
应材推出电子束量测系统 提升High-NA EUV制程的控制与良率 (2023.03.08)
由於包含极紫外光（EUV）和新兴高数值孔径（High-NA）的光阻越来越薄，量测半导体元件特徵的关键尺寸变得愈来愈具挑战性。应用材料公司最新推出新的电子束（eBeam）量测系统，则强调专门用来精确量测由EUV和High-NA EUV微影技术所定义半导体元件的关键尺寸（critical dimension） |
|
慧荣推出SM2268XT 满足次世代TLC和QLC NAND设计需求 (2023.02.17)
慧荣科技今日宣布推出最新款高效能PCIe Gen4 SSD控制晶片解决方案SM2268XT。该产品专为具备高速传输功能的NAND所设计，其卓越的效能和高可靠性能支援次世代的TLC与QLC NAND，加速客户新世代SSD产品的问世，在不须妥协频宽与延迟的情况下，能完善确保资料的完整性和错误校正能力 |
