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碳化矽市场持续升温 SiC JFET技术成为关键推动力 (2024.12.11)
随着全球对高效能源与高性能技术需求的增加，碳化矽（SiC）市场正迎来快速增长。碳化矽材料因其优异的热稳定性、高击穿电压与高功率密度性能，成为许多高效能应用的首选，涵盖电动车、再生能源系统以及资料中心等领域 |
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GE科学家展示超高温SiC MOSFET产品效能 (2023.06.02)
来自通用电气研究（GE Research）的科学家们创造了一项新记录，展示可以承受超过温度 800 ℃的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）。这相较於之前已知的该技术演示高出 200℃，对於极端操作环境中未来应用深具潜力 |
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Qorvo推出750V SiC FET 封装D2PAK-7L提供更大灵活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣布推出采用表面贴装D2PAK-7L封装的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封装选项，Qorvo SiC FET可为车载充电器、软切换DC/DC转换器、电池充电（快速DC和工业）以及IT/伺服器电源等快速增长应用量身客制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益高功率应用提供更隹解决方案 |
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UnitedSiC推出最小导通电阻6mΩ SiC FET 耗损仅竞品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的应用正快速且广泛的成长中，尤其是电动车相关的市场，而SiC元件的性能优劣也成为供应商的决胜点。而专注于碳化矽元件技术开发的美商UnitedSiC（联合碳化矽），今日推出了一款业界最佳的750V SiC FET产品，该元件的导通电阻（RDS on）仅有6mΩ，仅有竞争对手SiC MOSFET产品的一半，并提供了5μs额定短路耐受时间 |
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赋能未来，勇往直前：SiC MOSFET问世10周年的思索 (2021.04.20)
在SiC MOSFET问世10周年之际，作者回顾科锐公司十年历史所经历的关键时刻，并认为未来的发展会比过去曾经历的增长还要巨大，也为下一步即将增长的产业曲线提出卓见。 |
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UnitedSiC推出用於低功率AC-DC返驰式转换器的SiC JFET系列 (2019.03.21)
UnitedSiC推出一系列适用於与具备内建低压MOSFET的控制器IC共同封装的SiC JFET晶片，可制造出速度快，基於叠接的20W至100W返驰式产品。这些常导通式SiC JFET的操作电压范围为650V至1700V，可帮助实现简化的启动方案，具有零待机功耗 |
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UnitedSiC发布全新UF3C FAST碳化矽FET系列产品 (2018.11.06)
碳化矽（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相较现有UJC3系列，FAST系列具有更快的切换速度和更高的效率水准 |
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沟槽构造SiC-MOSFET可大幅降低导通电阻 (2015.08.14)
ROHM近日研发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立完备的量产体制。与量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用变流器等所有相关设备的功率损耗 |
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是德科技推出用于电力电路设计的 功率组件电容分析仪 (2014.08.12)
是德科技（Keysight Technologies Inc.）日前宣布推出一款能够在实际操作电压下自动测试功率组件接面电容的功率组件电容分析仪。
随着使用碳化硅（SiC）和氮化?（GaN）等新材料制成的功率组件不断问世，切换式电源供应器现在必须在更高的频率下运作，因而突显出准确执行组件电容特性分析的重要性 |
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欧洲高能效功率芯片项目成果斐然 (2013.05.28)
欧洲奈米电子行动顾问委员会（ENIAC）联盟（JU）日前公布为期三年的LAST POWER项目开发成果。此项目于2010年4月启动，目标在于研发高成本效益且高可靠性的功率电子技术，聚集了宽能隙功率半导体组件（Wide Bandgap Power Semiconductor）领域的民营企业、大学和公共研究中心 |
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快捷半导体SiC BJT上场 锁定5kW应用市场 (2012.11.21)
快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC，掌握了最关键的SiC材料与制程技术，并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能，以及高于金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）和接面场效晶体管（JFET）技术的双极SiC晶体管技术 |
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快捷半导体SiC BJT上场 锁定5kW应用市场 (2012.11.21)
快捷半导体日前才完成收购碳化硅(SiC)功率晶体管企业TranSiC，掌握了最关键的SiC材料与制程技术，并且能够在超广温度范围下有亮眼出色的性能，以及高于金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）和接面场效晶体管（JFET）技术的双极SiC晶体管技术 |
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Infineon推出采直驱技术的 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列产品 (2012.05.15)
英飞凌(Infineon) 日前推出最新 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，进一步强化英飞凌在 SiC市场的领先地位。此一革命性的全新产品系列展现英飞凌在 SiC 技术研发领域超过十年的经验，同时拥有高质量、可大量生产的特点 |
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快捷半导体推出SiC技术开发创新产品 (2011.05.06)
快捷半导体（Fairchild Semiconductor）近日宣布，收购碳化硅（Silicon Carbide; SiC）功率晶体管企业TranSiC公司，以扩展其技术领先地位。
这项收购为快捷半导体带来具有充分验证之业界领先效率、可在超广温度范围下有出色性能、以及优于MOSFET和JFET技术的卓越性能之双极SiC晶体管技术 |
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CISSOID推出新款高温功率晶体驱动器参考设计 (2010.03.22)
高温半导体方案供货商CISSOID近日发布，新款快速高温功率晶体驱动器参考设计PROMETHEUS-II。其适用于-55℃至+225℃的操作。PROMETHEUS-II的解决方案是用来驱动碳化硅（SiC）、氮化镓和其他功率组件，如需用于高达225℃可靠和持续运行的MOSFET,IGBT,JFET及BJT |
