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英飛凌碳化矽功率半導體成功應用於豐田 bZ4X 新車款 (2026.03.03)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣佈，全球最大汽車製造商豐田 (TOYOTA) 已在其新款車型bZ4X中採用了英飛凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）產品 |
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英飛凌碳化矽功率半導體成功應用於豐田 bZ4X 新車款 (2026.03.03)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣佈，全球最大汽車製造商豐田 (TOYOTA) 已在其新款車型bZ4X中採用了英飛凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）產品 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V G2系列提供超低導通電阻和新型封裝 (2026.01.27)
為了提供汽車和工業電源應用超高系統效率和功率密度，英飛凌科技（Infineon）推出全新封裝CoolSiC MOSFET 750V G2系列。該系列現提供 Q-DPAK、D2PAK等多種封裝，產品組合覆蓋在25°C情況下的典型導通電阻(RDS(on))值60 mΩ |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V G2系列提供超低導通電阻和新型封裝 (2026.01.27)
為了提供汽車和工業電源應用超高系統效率和功率密度，英飛凌科技（Infineon）推出全新封裝CoolSiC MOSFET 750V G2系列。該系列現提供 Q-DPAK、D2PAK等多種封裝，產品組合覆蓋在25°C情況下的典型導通電阻(RDS(on))值60 mΩ |
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英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用 |
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英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
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英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上 |
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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
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英飛淩全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列促進汽車和工業發展 (2024.03.29)
英飛凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式（DAB）、HERIC、降壓/升壓和相移全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化 |
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英飛淩全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列促進汽車和工業發展 (2024.03.29)
英飛凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式（DAB）、HERIC、降壓/升壓和相移全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化 |
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英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飛凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置，除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率 |
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英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飛凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置，除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率 |
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英飛凌與英飛源合作 拓展新能源汽車充電市場 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌科技宣佈與中國的新能源汽車充電市場相關企業英飛源 (INFY) 達成合作 |
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英飛凌與英飛源合作 拓展新能源汽車充電市場 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌科技宣佈與中國的新能源汽車充電市場相關企業英飛源 (INFY) 達成合作 |
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英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本 |
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英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本 |
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英飛凌CoolSiC功率模組 推動節能電氣化列車邁向低碳化 (2023.06.05)
為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有嚴苛的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行 |
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英飛凌CoolSiC功率模組 推動節能電氣化列車邁向低碳化 (2023.06.05)
為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有嚴苛的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行 |
