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日本開發提升快閃記憶體速度至100Mbps的新技術 (2007.09.05)
外電消息報導，日本IC設計公司Genusion日前表示，該公司成功研發一項名為「B4-Flash」的快閃記憶體技術，能大幅提升快閃記憶體的處理速度，達到目前10左右。
Genusion表示，B4-Flash技術在生產過程中，使用了該公司專利的B4-HE (Back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron)注射技術，該技術能提升目前快閃記憶體的處理速度 |
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