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ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統高電壓需求 (2024.11.14)
半導體製造商ROHM開發出引腳間沿面距離更長、絕緣電阻更高的表面安裝型SiC蕭特基二極體（SBD）。目前產品陣容中已經有適用於車載充電器（OBC）等車載應用的「SCS2xxxNHR」8款機型 |
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ROHM的EcoSiC導入COSEL的3.5Kw輸出AC-DC電源產品 (2024.10.30)
半導體製造商ROHM生產的EcoSiC產品—SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（SBD），被日本先進電源製造商COSEL生產的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元「HFA／HCA系列」採用。強制風冷型HFA系列和傳導散熱型HCA系列均搭載ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，實現最大的工作效率（94%） |
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Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體新產品 (2024.09.26)
先進半導體和儲存解決方案供應Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基柵極二極體（SBD）產品線中增添1200 V新產品「TRSxxx120Hx系列」，適合應用於光伏逆變器、電動汽車充電站，以及用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統（UPS）等工業設備 |
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ROHM推出100V耐壓SBD「YQ系列」 採用溝槽MOS結構 (2024.01.31)
半導體製造商ROHM針對車載設備、工業設備、消費性電子設備等電源電路和保護電路，推出業界最高等級trr的100V耐壓蕭特基二極體（SBD）「YQ系列」。
二極體的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用於各種應用 |
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東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率 (2023.07.13)
東芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD），這是該公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工業設備開關電源、電動汽車充電站、光伏逆變器為應用領域 |
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ROHM SiC MOSFET/SiC SBD結合Apex Microtechnology模組提升工控設備功率 (2023.03.31)
電源和馬達占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的社會問題，而功率元件是提高效率的關鍵。ROHM的SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（簡稱SiC SBD）已被成功應用於大功率類比模組製造商Apex Microtechnology的功率模組系列產品 |
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ROHM SiC SBD成功應用於Murata Power Solutions D1U系列 (2023.03.15)
ROHM（總公司：日本京都市）開發的第3代SiC蕭特基二極體（以下簡稱 SBD）已成功應用於Murata Power Solutions的產品上。Murata Power Solutions是擅長電子元件、電池、電源領域的日本著名製造商—村田製作所集團旗下的企業 |
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Diodes推出碳化矽蕭特基勢壘二極體 提高效率和高溫可靠性 (2023.02.08)
Diodes公司今日宣佈推出首款碳化矽（SiC）蕭特基勢壘二極體（SBD）。產品組合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一項650V額定電壓（4A、6A、8A和10A）的產品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V額定電壓（2A、5A和10A）產品 |
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新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。 |
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羅姆推出小型PMDE封裝二極體 助力應用小型化 (2022.04.11)
ROHM為滿足車電裝置、工控裝置和消費性電子裝置等各類型應用中，保護電路和開關電路的小型化需求，推出了PMDE封裝（2.5mm×1.3mm）產品，此次又在產品系列中新增了14款機型 |
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Microchip推出3.3 kV SiC MOSFET和SBD 實現高性能與可靠性 (2022.03.23)
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合，推出業界最低導通電阻RDS（on）3.3 kV碳化矽MOSFET和市場上最高額定電流的碳化矽SBD，讓設計人員可以充分利用其耐固性、可靠性和性能 |
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ROHM擴大車電小型SBD RBR/RBQ產品線 增至178款 (2021.08.11)
半導體製造商ROHM研發出小型高效蕭特基二極體（SBD）「RBR系列」、「RBQ系列」各12款產品，適用於車電、工控和消費性電子裝置等電路整流和保護用途。目前該二個系列的產品線總計已達178款 |
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ROHM內建SiC二極體IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 損耗減少67% (2021.07.13)
半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」 |
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擴大SiC功率元件產能 ROHM Apollo環保新廠房完工 (2021.01.13)
面對全球的能源短缺問題，節能將是開發未來電子元件的重要考量，尤其在電動汽車與工業4.0領域，SiC SBD與SiC MOSFET等SiC功率元件，很有可能成為電動車和工業裝置的關鍵元件 |
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Microchip推出最新車用700和1200V碳化矽蕭特基二極體 (2020.10.29)
汽車電氣化浪潮正席捲全球，電動汽車搭載的馬達、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統都需要碳化矽（SiC）等創新電源技術。Microchip今日宣佈推出最新通過認證的700和1200V碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD）功率元件，為電動汽車（EV）系統設計人員提供了符合嚴苛汽車品質標準的解決方案，同時支援豐富的電壓、電流和封裝選項 |
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Toshiba Launches 1200V Silicon Carbide MOSFET That Contributes to High-efficiency Power Supply (2020.10.19)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has launched “TW070J120B,” a 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for industrial applications that include large capacity power supply. Shipments start today.
The power MOSFET using the SiC, a new material, achieves high voltage resistance, high-speed switching, and low On-resistance compared to conventional silicon (Si) MOSFET, IGBT products |
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Microchip推出低電感SiC功率模組與可程式設計柵極驅動器套件 (2020.09.01)
從火車、有軌電車和無軌電車，到公共汽車、小汽車和電動汽車充電樁，全球交通電氣化轉型仍在加速，各國紛紛採用效率更高、技術更創新的交通方式。Microchip今天宣佈推出AgileSwitch數位可程式設計柵極驅動器和SP6LI SiC功率模組套件 |
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Microchip擴展碳化矽電源晶片產品線 提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
業界希望基於碳化矽（SiC）的系統能大幅提升效率、減小尺寸和重量，協助工程師研發創新的電源解決方案；這一需求正在持續、快速地增長。SiC技術的應用場景包括電動汽車、充電站、智慧電網、工業電力系統、飛機電力系統等 |
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新款200V耐壓蕭特基二極體有效降低功耗並實現小型化設計 (2019.08.27)
近年來，在48V輕度混合動力驅動系統中，將馬達和週邊零件集中在一個模組內的「機電一體化」已成為趨勢，而能夠在高溫環境下工作的高耐壓、高效率超低IR[1]蕭特基二極體[2]（簡稱SBD）之需求也日益增加 |
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ROHM開發車電超小型MOSFET RV4xxx系列 (2019.07.25)
半導體製造商ROHM研發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx系列」，該系列產品可確保零件安裝後的可靠性，且符合車電產品可靠性標準AEC-Q101，是確保車規級品質的高可靠性產品 |
