 |
imec展示首款3D電荷耦合元件 鎖定AI記憶體應用 (2026.05.13)
在類似3D NAND的架構內製造電荷耦合元件（CCD）的可行性有助於推動具備高成本效益的高位元密度記憶體方案，以應對AI特定工作負載所面臨的記憶體牆挑戰。 |
 |
研究：記憶體資源限制加劇 AI驅動的供應轉移正重塑市場格局 (2026.04.20)
全球電子協會（Global Electronics Association）發佈的最新報告指出，AI正佔用全球日益增加的記憶體供應比例，導致各產業電子製造商面臨交期延長、價格上漲以及市場不確定性加劇的局面 |
|
DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品 |
|
DRAM供需缺口有解 估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品 |
|
南亞科攜鈺創合資5億成立AI記憶體設計公司 劍指邊緣運算 (2025.08.07)
台灣兩大記憶體廠南亞科技（Nanya Technology）與鈺創科技（Etron Technology）於今日共同宣布將合資新台幣5億元，成立一家專注於AI記憶體設計服務的新公司，將是搶攻AI邊緣運算市場商機的關鍵一步 |
|
南亞科攜鈺創合資5億成立AI記憶體設計公司 劍指邊緣運算 (2025.08.07)
台灣兩大記憶體廠南亞科技（Nanya Technology）與鈺創科技（Etron Technology）於今日共同宣布將合資新台幣5億元，成立一家專注於AI記憶體設計服務的新公司，將是搶攻AI邊緣運算市場商機的關鍵一步 |
|
宜鼎於 Computex 2025 聚焦產業AI應用 (2025.05.16)
全球AI解決方案與工業級儲存領導品牌宜鼎國際（Innodisk）迎接成立二十週年，於COMPUTEX 2025以「Architect Intelligence」為核心，展出涵蓋記憶體與儲存、相機模組、擴充卡與AI平台的多元產品線 |
|
宜鼎於 Computex 2025 聚焦產業AI應用 (2025.05.16)
全球AI解決方案與工業級儲存領導品牌宜鼎國際（Innodisk）迎接成立二十週年，於COMPUTEX 2025以「Architect Intelligence」為核心，展出涵蓋記憶體與儲存、相機模組、擴充卡與AI平台的多元產品線 |
 |
創新3D緩衝記憶體 助力AI與機器學習 (2025.05.06)
imec的研究顯示，包含氧化銦鎵鋅（IGZO）傳導通道的3D整合式電荷耦合元件（CCD）記憶體是絕佳的潛力元件。 |
|
imec採用High-NA EUV單次圖形化 展示20奈米金屬導線電性良率 (2025.03.04)
日前舉行的國際光電工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示首次在20奈米間距金屬導線結構上取得的電性測試（electrical test）結果，這些結構經過高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）的單次曝光之後完成圖形化 |
|
imec採用High-NA EUV單次圖形化 展示20奈米金屬導線電性良率 (2025.03.04)
日前舉行的國際光電工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示首次在20奈米間距金屬導線結構上取得的電性測試（electrical test）結果，這些結構經過高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）的單次曝光之後完成圖形化 |
|
3D DRAM新突破！國研院聯手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
國研院半導體中心與旺宏電子合作，成功開發「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體（3D DRAM）」，此技術突破傳統2D記憶體限制，採用3D堆疊技術，大幅提升記憶體密度與效能，且具備低功耗、高耐用度優勢，有助於提升AI晶片效能 |
|
3D DRAM新突破！國研院聯手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
國研院半導體中心與旺宏電子合作，成功開發「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體（3D DRAM）」，此技術突破傳統2D記憶體限制，採用3D堆疊技術，大幅提升記憶體密度與效能，且具備低功耗、高耐用度優勢，有助於提升AI晶片效能 |
|
一粒沙，一個充滿希望的世界 (2025.02.21)
想像一個沒有手機、網路或行動通訊的世界。一片苦於飢荒的大陸。一種神秘又致命的病毒，不受控制地傳播。 |
|
宜鼎推出DDR5 6400記憶體 同級最大64GB容量及全新CKD元件 (2024.10.30)
全球AI解決方案與工業級記憶體領導品牌宜鼎國際（Innodisk）領先推出DDR5 6400記憶體模組，具備單條64GB的業界最大容量。產品採用全新的CUDIMM與CSODIMM規格，增設CKD晶片（用戶端時脈驅動器）以提升傳輸訊號穩定性，並透過TVS（瞬態電壓抑制器）防止因電壓不穩造成元件毀損，為邊緣應用提供至關重要的高穩定度 |
 |
宜鼎推出DDR5 6400記憶體 同級最大64GB容量及全新CKD元件 (2024.10.30)
全球AI解決方案與工業級記憶體領導品牌宜鼎國際（Innodisk）領先推出DDR5 6400記憶體模組，具備單條64GB的業界最大容量。產品採用全新的CUDIMM與CSODIMM規格，增設CKD晶片（用戶端時脈驅動器）以提升傳輸訊號穩定性，並透過TVS（瞬態電壓抑制器）防止因電壓不穩造成元件毀損，為邊緣應用提供至關重要的高穩定度 |
|
進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
|
imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
|
imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
|
元太聯手奇景 推出新一代彩色電子紙時序控制晶片 (2024.08.01)
E Ink元太科技與奇景光電（共同宣布，聯手開發的新一代彩色電子紙時序控制晶片（ePaper Timing Controller） T2000，以更快的速度、更少的電力驅動畫面更新，支援元太科技全系列彩色電子紙技術平台，瞄準閱讀、廣告看板與其他電子紙平台應用市場 |
