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碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加,碳化矽(SiC)市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能,成為許多高效能應用的首選,涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域
Littelfuse超級結X4-Class 200V功率MOSFET具有低通態電阻 (2024.11.26)
工業技術製造公司Littelfuse推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。這些新元件在目前200V X4-Class超級接面MOSFET的基礎上進行擴展,有些具有最低導通電阻。由於這些MOSFET具有高電流額定值,設計人員能夠採用它們來取代多個並聯的低額定電流元件,進而簡化設計流程,提高應用的可靠性和功率密度
三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric)宣布,將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 (SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)裸晶片樣品11月14日,三菱電機推出電動車(EV)、插電式混合動力車(PHEV)和其他電動車(xEV)的逆變器
東芝推出高額定無電阻步進馬達驅動器TB67S559FTG (2024.11.08)
東芝在步進馬達驅動器系列加入新產品TB67S559FTG,該產品支援辦公室自動化設備和工業設備(例如機器人、金融設備等)中使用的恆流控制,無需電流檢測電阻即可控制恆定電流電機已新增
意法半導體新款750W馬達驅動參考板適用於家用和工業設備 (2024.10.27)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)新款EVLDRIVE101-HPD(高功率密度)馬達驅動參考設計在直徑僅5公分的圓形PCB電路板上整合三相閘極驅動器、STM32G0微控制器和750W功率級。該電路板的休眠模式下功耗極低
意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體(STMicroelectronics;ST)正式推出第四代STPOWER碳化矽(SiC)MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求,還針對電動車(EV)動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化,在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿
貿澤電子供應Toshiba各種電子元件與半導體 (2024.09.18)
貿澤電子(Mouser Electronics)為Toshiba原廠授權代理商,貿澤備有超過7,000種Toshiba產品可供訂購,包括超過3,000種的庫存,提供最多樣化、最新的Toshiba元件產品組合,幫助買家和工程師開發滿足市場需求的產品
緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03)
在電動汽車和混合動力汽車中,少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器,而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示,2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元,預計到2030年將增長至110億美元,預測期內的複合年增長率為15%
ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.28)
在汽車領域,隨著安全性和便利性的提高,電子產品逐漸增加,電子元件數量也與日俱增,而為了提高燃油效率和降低電耗,更是要求需降低上述產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場,對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲
ROHM高可靠性車載Nch MOSFET適用於多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.22)
隨著車用電子元件提高安全性和便利性的需求,為了提高燃油效率和降低電耗,更是要求需降低車用產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場,對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲
開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品,是來自德州儀器(TI)一款業界首創的650V三相智慧功率模組(Intelligent Power Module;IPM)-「DRV7308」,適用於250W馬達驅動器應用。
意法半導體新款高壓側開關整合智慧多功能 提供系統設計高彈性 (2024.05.09)
全球半導體廠商意法半導體(STMicroelectronics;ST)新推出八路高邊開關兼具智慧功能和設計靈活性,每條通道導通電阻RDS(on)(典型值)僅110mΩ,擁有小尺寸,並確保系統效能,還能夠節省PCB 空間
英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技(Infineon)推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高,和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝
Transphorm新型SuperGaN器件採用4引腳TO-247封裝 (2024.01.18)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET,各別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻,並配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能,因應高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求
英飛凌全新 CoolMOS S7T系列整合溫度感測器性能 (2024.01.11)
英飛凌科技(Infineon)推出整合溫度感測器的全新 CoolMOS S7T 產品系列,具有出色的導通電阻和高精度嵌入式感測器,能夠提高功率電晶體接面溫度感測的精度,適用於提高固態繼電器(SSR)應用的性能和可靠性
碳化矽電子保險絲展示板提升電動汽車電路保護效能 (2023.12.25)
電動汽車開發設計人員現在正專注於增強高壓保護電路的效能,並且提高可靠性,而電子保險絲作為電路保護解決方案不斷發展,成為優先採用的方法。
ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年來隨著照明用小型電源和泵浦用馬達的性能提升,對於在應用中發揮開關作用的MOSFET小型化產品需求漸增。半導體製造商ROHM推出採用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」,適用於照明用小型電源、空調、泵浦和馬達等應用
意法半導體STSPIN9系列新款高擴充性大電流馬達驅動晶片量產 (2023.12.08)
全球半導體廠商意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出STSPIN9系列大電流馬達驅動晶片,首波推出兩款產品,應用定位高階工業設備、家電和專業設備。4.5A STSPIN948和5.0A STSPIN958整合PWM控制邏輯電路和58V功率級
Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後,推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET,新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐,為採用JEDEC標準(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件
自走式電器上的電池放電保護 (2023.11.26)
使用MOSFET作為理想二極體,能夠為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全防護。


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