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CTIMES / 意法半導體
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典故
P2P-点对点档案交换

「P2P」,简单地说就是peer-to-peer—「点对点联机软件」,意即「使用端」对「使用端」(Client to Client ) 通讯技术,能让所有的设备不用经过中央服务器,便能直接联通散布数据。
NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用 (2022.07.15)
意法半导体(ST)推出NanoEdge AI Studio V3自动化机器学习工具,提供两个额外的机器学习演算法系列、简化的资料记录及翻新的使用者介面。
利用Time-of-Flight感测器开发3D手势辨识 (2022.06.23)
手势辨识是电脑科学和语言技术中常见的主题之一,能够透过数学演算法解释人类手势。这在机器和人类之间搭起更丰富的桥梁,让生活更有趣、更智慧。
STM32低功耗电脑视觉:类比仪表展示 (2022.06.08)
本文叙述使用具MCU嵌入式连线能力的低解析度摄影机所组成的系统,以低成本、低功耗、高效率的方式将类比仪表数位化。
下一个自动化时代的新网宇实体系统影响 (2022.05.25)
工业发展的驱动力为何? ST突破感测器、人工智慧、通讯等领域的技术,以创新的网宇实体系统开启下一个自动化时代。
运用FP-AI-VISION1的影像分类器 (2022.05.04)
本文概述FP-AI-VISION1,此为用於电脑视觉开发的架构,提供工程师在STM32H7上执行视觉应用的程式码范例。
适用于电池供电设备的热感知高功率高压板 (2021.12.30)
电池供电马达控制方案为设计人员带来多项挑战,例如,优化印刷电路板热效能至今仍十分棘手且耗时...
导入NFC标签功能实作 全球连网香水首见现身 (2021.12.30)
Phantom是全球第一款连网香水,喷头内装有ST25TV02K近场通信(NFC)标签,让Paco Rabanne可为顾客提供独特功能。
用于检测裸矽圆晶片上少量金属污染物的互补性测量技术 (2021.12.30)
本文的研究目的是交流解决裸矽圆晶片上金属污染问题的经验,介绍如何使用互补性测量方法检测裸矽圆晶片上的少量金属污染物并找出问题根源,
意法半导体:回顾2021年与展望2022年 (2021.12.30)
本文为意法半导体(ST)总裁暨执行长Mr Jean-Marc 于访谈中回顾2021年与对于2022年的展望,
感测器中的AI – 嵌入式机器学习核心运行决策树分类器 (2021.12.30)
人工智慧应用的市占率稳步成长。为此,意法半导体提供广泛的产品组合,轻松实现多级别的人工智慧应用。
机器学习模型设计过程和MEMS MLC (2021.12.07)
本文描述机器学习专案的必要开发步骤,并介绍ST MEMS感测器内嵌机器学习核心(MLC)的优势。
ST和Exagan携手开启GaN发展新章节 (2021.08.17)
GaN的固有特性,让元件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻,亦即相较于同尺寸的矽基元件,GaN可处理更大的负载、效能更高,而且物料清单成本更低。
碳化矽迈入新时代 ST 25年研发突破技术挑战 (2021.07.30)
本文探讨碳化矽在当今半导体产业中所扮演的角色、碳化矽的研发历程,以及未来发展方向。以及意法半导体研发碳化矽25年如何克服技术挑战及创新技术的历程。
采用LCC拓扑的二相输入300W交直流LED电源供应器 (2021.05.26)
本文探讨如何利用半桥式无引脚晶片载体(LCC)谐振转换器的数位控制功能,搭配同步整流,来打造300W电源供应器。
Multiphysics Simulation模拟软体强化可靠的结构和穿戴式系统 (2021.03.19)
从响应式装置和穿戴式监视器,到节能型办公室照明和工厂自动化,工程师利用可靠创新的产品在微型半导体元件与我们的宏观世界之间架起一座桥梁。
无电池资产追踪模组的监控系统开发设计 (2020.12.23)
本文叙述一个无电池BLE资产追踪标签的速度和读写器数量之间的数学关系,提供一个能够计算资产识别和测速所需读写器数量的设计策略和优化模型,
指纹金融卡背后的两大挑战:生物特征身份认证系统 (2020.12.08)
藉由非接触式卡片并利用生物特征身份认证技术进行安全支付越来越受欢迎,导入生物特征身份认证系统解决方案将有助于提升,甚至解除现有的非接触式支付金额上限。
无电池资产追踪模组的先进监控系统 (2020.11.27)
本文提出一个在无线感测器网路中识别资产和监测资产移动速度的追踪系统,无电池的资产标签透过射频无线电力传输架构接收资料通讯所需电能,并采用一个独有的测速方式产生时域速度读数
为什么选择GaN电晶体? MasterGaN1告诉你答案 (2020.10.27)
MasterGaN1用于新拓扑。在设计AC-DC转换系统时,工程师可以将其用于LLC谐振变换器。
SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估 (2020.08.18)
本文透过模拟雪崩事件,进行非钳位元感性负载开关测试,并使用不同的SiC MOSFET元件,依照不同的测试条件,评估技术的失效能量和鲁棒性。

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