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研究网络工程的团队 - IETF

IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织,其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商,以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
德州仪器新任总裁兼执行长Haviv Ilan将於四月走马上任 (2023.01.30)
德州仪器 (TI) 表示,董事会已遴选 Haviv Ilan 担任公司新任总裁兼执行长 (CEO),此次人事异动案自 4 月 1 日起生效。在 TI 服务 24 年的 Ilan 将接替现任总裁兼执行长 Rich Templeton,而 Templeton 将在未来两个月内卸任上述职务,并持续担任公司董事长
立??科技与宜普电源转换合作推出小型化140W快充解决方案 (2023.01.18)
宜普电源转换公司(EPC)和立??科技(Richtek)?手推出新型快充叁考设计,使用RT6190降压-升压控制器和氮化??场效应电晶体EPC2204,可实现超过98%的效率。 宜普电源转换公司和立??科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器叁考设计,可将12 V~24 V的输入电压转换?5 V~20 V的稳压输出电压,并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流
重视汽车应用市场 ST持续加速碳化矽扩产 (2023.01.18)
汽车是ST非常重视的市场之一,2022年车用和离散元件产品部(ADG)占了ST总营收的30%以上。车用和离散元件产品部拥有意法半导体大部分的车用产品,非常全面性的产品组合能够支援汽车的所有应用
安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣布将其碳化矽(SiC)系列命名为「EliteSiC」。在CES上,安森美展示EliteSiC 系列的3款新成员:一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极体。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能
ROHM第4代SiC MOSFET成功导入日立安斯泰莫电动车逆变器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和闸极驱动器IC已被日本知名汽车零件制造商日立安斯泰莫株式会社(以下简称日立安斯泰莫)使用於电动车(以下简称EV)逆变器。 在全球实现减碳社会的过程中,汽车的电动化进程持续加速,在此背景下,开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路
Transphorm按功率段发布氮化??功率管可靠性评估资料 (2022.12.16)
Transphorm发布了针对其氮化??功率管的最新可靠性评估资料。评估可靠性使用的失效率(FIT)是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止,基於超过850亿小时的现场应用资料,该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小於0.1
德州仪器与群光电能合作 将GaN解决方案导入节能笔电电源供应器 (2022.12.14)
德州仪器(TI)宣布与群光电能(群电)於其最新款 65W 笔电电源供应器「Le Petit」中导入 TI 高整合式氮化??(GaN、Gallium nitride)解决方案。搭载 TI 的整合式闸极驱动器 LMG2610 半桥 GaN FET,群电与 TI 成功缩小电源供应器体积达 1/2 ,并提升电源转换效率至高达 94%
意法半导体与Soitec携手开发SiC基板制造技术 (2022.12.08)
意法半导体(STMicroelectronics,ST)与半导体材料设计制造公司Soitec宣布下一阶段的碳化矽(Silicon Carbide,SiC)基板合作计画,意法半导体准备於18个月内完成Soitec碳化矽基板技术产前认证测试
Cambridge GaN Devices 融资扩大功率半导体装置市场 (2022.11.22)
无晶圆厂半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD),於2016年从英国剑桥大学工程系着名的功率装置集团分割出来,已募集1900万美元的Series B资金。此投资案由Parkwalk Advisors和BGF领投,另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投
TI:提高功率密度 有效管理系统散热问题 (2022.10.21)
几??各种应用的半导体数量都在加倍增加,电子工程师面临的许多设计挑战都与更高功率密度的需求息息相关。 ·超大规模资料中心:机架式伺服器使用大量的电力,这对於想要因应持续成长需求的公用事业公司和电力工程师构成一大挑战
意法半导体将於义大利兴建整合式碳化矽基板制造厂 (2022.10.06)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)将於义大利兴建一座整合式碳化矽(Silicon Carbide;SiC)基板制造厂,以支援意法半导体客户对汽车及工业用碳化矽元件与日俱增的需求,协助其迈向电气化并追求更高效率
西门子与联华电子合作开发3D IC hybrid-bonding流程 (2022.09.30)
西门子数位化工业软体近日与联华电子(UMC)合作,为联华电子的晶圆对晶圆堆叠(wafer-on-wafer)及晶片对晶圆堆叠(chip-on-wafer)技术提供新的多晶片 3D IC 规划、组装验证,以及寄生叁数萃取(PEX)工作流程
安森美在捷克共和国扩建碳化矽工厂 (2022.09.22)
安森美(onsemi),厌祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化矽「SiC」工厂的落成。以工业和贸易部科长Zbyn?k Pokorny、兹林州州长Radim Holi?和市长Ji?i Pavlica以及其他当地政要为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式,突显此事件和半导体制造在捷克共和国的重要性
TI:氮化??电源管理设计将被加速采用 (2022.09.15)
随着全球技术不断升级,电源设计人员对功率密度和系统级效率的关注也随之提高,从而带动更高效的宽能隙功率半导体应用由以往的资料中心扩展至测试和测量、储能系统 (ESS) 及消费性电子等应用领域
??基半导体获力智、中美矽晶、罗姆和台达电共新台币4.56 亿元投资 (2022.09.14)
台达子公司??基半导体,持续专注於第三代半导体氮化??(GaN)技术用於开发功率半导体。该公司宣布已完成新一轮4.56亿新台币的增资合约签订,且在这次增资的同时,获得了与力智电子(uPI)、中美矽晶(SAS)、日商罗姆半导体(Rohm),以及母公司台达等夥伴建立策略合作关系,共同加速GaN功率半导体技术的发展
Transphorm获得美国能源部合约 提供新型四象限氮化??开关管 (2022.09.05)
Transphorm宣布赢得一份美国能源部先进能源研究计画署(ARPA-E)的合约。该专案是ARPA-E CIRCUITS计画的一部分,透过与伊利诺理工学院的转包合约展开,包括提供采用氮化??的四象限双向开关管(FQS)
GaN将在资料伺服器中挑起效率大梁 (2022.08.26)
GaN具有独特的优势,提供卓越的性能和效率,并彻底改变数据中心的配电和转换、节能、减少对冷却系统的需求,并最终使数据中心更具成本效益和可扩展性。
EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司(EPC)推出ePower功率级积体电路,它整合了整个半桥功率级,可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流,为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案,包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用
飞宏新款65W配接器采用Transphorm氮化??技术 (2022.08.02)
全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出65W 2C1A USB PD配接器,其中采用Transphorm公司的氮化??(GaN)技术。这款配接器采用Transphorm的SuperGaN第四代技术,这是一种氮化??场效应管(FET)平台,具有系统设计简单,元件数量少,高性能,高可靠等优点
EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2,其总剂量等级大於1 Mrad,线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装,这与其他商用的氮化??场效应电晶体(eGaN FET)和IC相同

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