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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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[COMPUTEX] 德仪：充分运用GaN技术可提升资料中心的能源效率 (2022.05.26)
德州仪器(TI)??总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣，今（26）日於2022 COMPUTEX Taipei论坛中表示，TI将协助客户充分发挥氮化??（GaN）技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率 |
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EPC积极发展光达应用的车规认证积体电路 (2022.04.29)
EPC公司宣布推出 额定电压?100 V、58 mΩ 和脉冲电流为20 A 的共源双路氮化??场效应电晶体EPC2221，可用於机器人、监控系统、无人机、自动驾驶车辆和吸尘器的光达系统。
EPC2221采用低电感、低电容设计，允许快速开关 (100 MHz) 和窄脉冲宽度 (2 ns)，从而实现高解析度和高效率 |
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罗姆集团旗下SiCrystal纪念成立25周年 (2022.04.28)
半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH（以下简称SiCrystal）迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位於德国纽伦堡的SiC（碳化矽）晶圆制造商，经过了25年的发展，目前已将业务范围扩展到全世界，并拥有200多名员工 |
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EPC新350V氮化??功率电晶体 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普电源转换公司（EPC）推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 电晶体，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，?冲输出电流? 26 A。 EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm。与采用等效矽元件的解决方案相比，基於EPC2050的解决方案的占板面积小十倍 |
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宏光半导体以GaN核心力全方位建构实现策略性转型 (2022.04.01)
宏光半导体专注经营发光二极管（LED）灯珠业务，持续追寻多元化发展，於年内正式投身第三代半导体氮化??（「GaN」）行业。集团凭藉其在LED制造方面的行业专业知识，将业务扩展至第三代半导体晶片设计制造及系统应用解决方案 |
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ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制 (2022.03.29)
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用於基地台、资料中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路 |
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ST：发展碳化矽技术 关键在掌控整套产业链 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散元件产品部（ADG）执行??总裁暨功率电晶体事业部总经理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1 |
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ST第三代碳化矽技术问世 瞄准汽车与工业市场应用 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要，由於全球能源需求正在不断成长，因此必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标 |
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下半年8寸基板将量产 第三类功率半导体2025年CAGR达48% (2022.03.10)
据TrendForce研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。
SiC适合高功率应用，如储能、风电、太阳能、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业 |
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Ampleon发布增强效能的第3代碳化矽基氮化??电晶体 (2022.02.23)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出两款新型宽频碳化矽基氮化??（GaN-on-SiC）高电子迁移率电晶体（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度元件是最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT制程的首发产品 |
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Wise-integration与益登合作 拓展GaN IC电源半导体产品通路 (2022.02.10)
GaN晶片和GaN电源数位控制商Wise-integration(怀智整合)，携手益登科技，共同宣布针对GaN电源半导体进行通路合作，携手拓展Wise-integration在亚洲市场的业务。
益登科技与Wise-integration的策略合作将着重於利用Wise-integration的GaN功率电晶体和数位控制能力，并与益登科技在亚洲地区广泛的半导体元件销售通路和顾客服务能力做结合 |
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意法半导体推出高效节能且更纤薄的首款PowerGaN产品 (2022.01.12)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出了属於STPOWER产品组合的新系列GaN功率半导体产品，能大幅降低各种电子产品的能量消耗并缩小尺寸。主要应用於消费性电子产品，例如，充电器、PC外接电源适配器、LED照明驱动器、电视机等家电内部电源 |
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ROHM荣获EcoVadis的2021年永续发展最高评价「白金奖」 (2022.01.10)
半导体制造商ROHM在 EcoVadis（总部位于法国）的2021年永续发展调查中，获得最高评价「白金奖」，这是ROHM首次荣获该奖项。 「白金奖」是针对约80,000家评价对象中排名前1%企业所颁发的奖项 |
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Microchip扩大氮化镓（GaN）射频功率元件产品组合 (2021.12.02)
Microchip今日宣布扩大其氮化镓（GaN）射频（RF）功率元件产品组合，推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路（MMIC）和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准 |
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ST隔离式SiC闸极驱动器问世 采用窄型SO-8封装节省空间 (2021.11.04)
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之STGAP2SiCSN是为控制碳化矽MOSFET而优化的单通道闸极驱动器，其采用了节省空间的窄体SO-8封装，具备稳定的效能和精准的PWM控制。
SiC功率技术被广泛使用于提升功率转换效率，而STGAP2SiCSN SiC驱动器可简化节能型电源系统、驱动和控制电路设计以节省空间，并加强稳定性和可靠性 |
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「2021电源管理与电力设计研讨会」特别报导 (2021.10.27)
爱德克斯：高整合电驱系统当道 电机与电池模拟测试是关键
电动车产业正如火如荼的发展，包含台湾在内，各国政府也透过法令与补贴政策，全力推动电动车市场的成形 |
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ROHM荣获UAES SiC功率解决方案优先供应商殊荣 (2021.10.27)
半导体制造商ROHM荣获中国车界Tier1供应商—联合汽车电子有限公司（UAES）的SiC功率解决方案优先供应商殊荣。
UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来，双方在采用SiC功率元件的车电应用产品开发方面建立了合作伙伴关系 |
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2021年全球GaN功率厂出货排名预测 纳微半导体以29%居冠 (2021.09.30)
根据TrendForce研究显示，受惠于消费性快充产品需求快速上升，如手机品牌小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头，凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐，截至目前笔电厂商也有意跟进，使GaN功率市场成为第三代半导体产业中产值上升最快速的类别，预估2021年营收将达8,300万美元，年增率高达73% |
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中央大学携手是德 建立第三代半导体研发暨测试开放实验室 (2021.09.28)
是德科技（Keysight）携手国立中央大学光电科学研究中心（National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了GaN、SiC应用研发及测试验证之效率，并加速5G基建及电动车创新之步伐 |
当传输技术进入数字时代之后，用户及厂商对于数字显示的质量要求越来越注重，结合显示适配器硬件的数字显示接口标准，其发展进度因而更受到瞩目。
