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TI推出最新GaN技术 携手台达打造高效能伺服器电源供应器 (2021.09.26)
德州仪器（TI）宣布，其氮化镓（GaN）技术和 C2000 即时微控制器（MCU），辅以台达的电力电子核心技术，为资料中心开发设计高效、高功率的企业用伺服器电源供应器（PSU） |
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意法半导体推出单晶片 GaN 闸极驱动器 (2021.09.10)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大，上下桥输出讯号传播延迟为45ns，能够驱动GaN加强型 FET 高频开关。
STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V，还适用于驱动N沟道矽基MOSFET，在驱动GaN元件时，可以灵活地施加最高6V闸极－源极电压（Gate-Source Voltage；VGS），确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准 |
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英飞凌携手Panasonic 共同加速650 V GaN功率装置技术发展 (2021.09.06)
英飞凌科技和 Panasonic 公司，已针对共同开发及生产第二代 (Gen2) 氮化镓 (GaN) 技术签订合约，基于已获认可接受的GaN技术，Gen2技术将提供更高效率和功率密度水准。
为了因应市场需求，Gen2 将会开发为 650 V GaN HEMT |
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联华电子与颀邦科技 经股份交换建立策略合作关系 (2021.09.06)
联华电子、宏诚创投(联电持股100%子公司)及颀邦科技董事会今日分别通过股份交换案，联华电子及颀邦科技两家公司将建立长期策略合作关系。
联电以先进制程技术提供晶圆制造服务，为IC产业各项应用产品生产晶片，并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案，以符合客户的晶片设计需求，所提供方案横跨14奈米到0 |
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新能源车需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR达78% (2021.09.05)
TrendForce表示，2021年随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升，驱使如基地台、能源转换器（Converter）及充电桩等应用需求大增，使得第三代半导体GaN及SiC元件及模组需求强劲 |
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盛美发布首台晶圆级封装和电镀应用电镀设备 (2021.08.31)
盛美半导体设备发布了新产品—Ultra ECP GIII电镀设备，以支援化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔制程中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率 |
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拓展碳化矽实力 安森美将收购GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 于美国时间8月25日宣布已达成最终协定，根据该协定，安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。
GTAT 成立于 1994 年，在包括 SiC 在内的晶体成长方面拥有丰富的经验 |
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边缘运算推升伺服器需求 英飞凌让电源供应器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的数据量正在加速爆走中，尤其是物联网和边缘运算应用被逐步导入市场之后，各种机器与设备的资料和数据，就日夜不停地被记录与传送到云端资料中心与伺服器之中，直接推升了各个领域对于伺服器的建置需求 |
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意法半导体制造首批8吋碳化矽晶圆 (2021.08.13)
意法半导体（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8吋（200mm）碳化矽（SiC）晶圆，这些晶圆将用于生产下一代功率电子晶片产品原型。将SiC晶圆升级到8吋代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计画获得重要阶段性的成功 |
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科锐携手迈凌科技 实现新型超宽频5G技术 (2021.07.14)
科锐 (Cree, Inc.,)宣布，与美商迈凌科技(MaxLinea)成功合作，结合科锐 Wolfspeed碳化矽基氮化镓(GaN-on-SiC)中频功率放大器，和美商迈凌科技超宽频线性化解决方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的无线容量，可支援更多人同时使用，并且提高了资料传输速度 |
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恩智浦将氮化镓应用于5G多晶片模组 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）为电信基础设施的主要目标之一，其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化镓可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%，比公司上一代模组高出8% |
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ST全新车规GaN产品系列 整合车载充电器、自驾LiDAR等智慧电路 (2021.05.26)
意法半导体（ST）推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化??（GaN）解决方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解决方案内整合功率级和智慧电路，满足汽车电动化趋势下的创新需求。
透过意法半导体於车用电子应用研发的丰富经验、在智慧功率技术、宽能隙半导体材料和封装技术的优势和创新成果 |
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PI推新款GaN返驰式切换开关IC 用於超小型行动充电器 (2021.05.25)
节能型电源转换高压IC大厂Power Integrations（PI）今日宣布推出InnoSwitch 4-CZ系列的高频率、零电压切换(ZVS)返驰式切换开关IC。InnoSwitch4-CZ装置结合了采用Power Integrations PowiGaN技术的750V主开关和高频主动箝位返驰式控制器，适用於手机、平板电脑和笔记型电脑的超小型充电器 |
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是德推出客制化GaN测试板 加速动态功率元件分析仪效率 (2021.05.11)
网路连接与安全创新技术商是德科技（Keysight Technologies Inc. ）宣布推出客制化氮化??（GaN）测试板，适用於是德科技旗下的动态功率元件分析仪/双脉冲测试仪（PD1500A），可协助供应商和OEM功率转换器设计人员，缩短原型开发周期，并加快让新产品问市 |
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英飞凌发表 30 W- 500 W 功率级应用的 CoolGaN IPS 系列产品 (2021.05.06)
采用氮化?? (GaN) 这类宽能隙 (WBG) 材料制成的功率开关凭藉其优异效率及高速切换频率，开启了功率电子的新时代。因应此一发展，英飞凌科技推出整合功率级 (IPS) 产品 CoolGaN IPS 系列，成为旗下众多 WBG 功率元件组合的最新产品 |
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ST推新款MasterGaN4元件 实现高达200W功率转换 (2021.04.29)
半导体供应商意法半导体（ST）推出新MasterGaN4，其功率封装整合了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化??（GaN）功率电晶体，以及优化的闸极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高效能电源转换应用设计 |
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先进半导体产业技术及发展应用研讨会 (2021.04.22)
即日起网路报名至4月16日(四)止，额满截止，逾期恕不受理现场报名；本研讨会开放免费报名。 |
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ROHM成功研发150V GaN元件技术 提升闸极耐压至8V (2021.04.14)
半导体制造商ROHM针对工控装置和通讯装置等电源电路，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V。
近年来，在伺服器系统等设备中，由於IoT装置的需求日益增长，功率转换效率的提升和装置小型化已成为开发重点 |
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TrendForce：第三代半导体成长强劲 GaN产值年增90.6% (2021.03.11)
根据TrendForce调查，2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦、疫情等影响，整体市场成长动力不足致使年增率持续受到压抑。然受惠於车用、工业与通讯需求??注，2021年第三代半导体成长动能有??高速回升 |
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英飞凌推出全新CoolGaN产品 大幅提升5G通讯电源效率 (2021.03.11)
数位化持续加速，新冠疫情更加催化了线上协作的积极发展，使得最先进的高效能通讯基础架构更显重要。为了满足与该应用的相关需求，英飞凌科技推出CoolGaN产品，助力通讯电源供应系统提供极致效率与可靠度 |
不管是IBM 的AIX、Sun 的Solaris、HP 的HP-UX、还是Linux等等，都是源自1969年AT&T贝尔实验室（Bell Labs）所开发出来的Unix，回顾这段历史，MULTICS（MULTiplexed Information and Computing Service）计划是重要的关键。。
