 |
默克於韩国安城揭幕旋涂式介电材料应用中心 深化下一代晶片技术支持 (2024.10.24)
默克，正式宣布在韩国安城揭幕最先进的旋涂式介电材料（Spin-on-Dielectric, SOD）应用实验室。为因应半导体产业中人工智慧蓬勃发展的趋势，该应用中心将加速开发用於先进记忆体和逻辑晶片的SOD材料 |
|
延续摩尔定律 默克大力研发创新半导体材料 (2016.09.14)
摩尔定律正面临技术瓶颈，半导体业者微缩制程日益困难，先进的封装技术日益重要。看准此一机会，先进半导体材料供应商Merck（默克）近年来积极研发先进制程材料，且大举并购了AZ Electronic Materials（安智电子材料）、SAFC Hitech（赛孚思科技），以及Ormet Circuits ，以提供客户更完整的解决方案 |
|
Voltaix获得Intel Capital的1250万美元投资 (2008.07.31)
提高半导体芯片和太阳能电池性能的材料供货商Voltaix宣布，已经从Intel旗下的全球投资部门Intel Capital获得1250万美元的投资。这项投资将加速该公司制造能力的扩张。Voltaix制造整合电路晶圆厂的前段半导体制程所用的电子化学品和气体 |
|
百克拉超级人造钻石可能成真 (2006.07.11)
根据经济日报消息，中央研究院院士毛河光利用高压技术让「沼气变钻石」，希望在两年内研发生产一百克拉的人工钻石。毛河光表示，我们正处在钻石科技大革命的尖端，比拳头还大的钻石可能成真 |
|
应材CVD系统广受全球12吋晶圆厂采用 (2004.08.04)
国际半导体设备大厂应用材料宣布该公司Applied Producer化学气相沉积（CVD）系统已出货超过750套，这些客户并采用其黑钻石低介电常数（Black Diamond low dielectric）技术来进行沉积作业 |
|
应用材料新式CVD技术 适用65奈米以下制程 (2004.07.29)
半导体设备大厂应用材料宣布推出应用于65奈米及以下制程的化学气相沉积（CVD）技术Producer HARP（high aspect ratio process；高纵深比填沟制程）系统；该系统技符合浅沟隔离层（Shallow Trench Isolation；STI）和前金属介质沉积（Pre-Metal Dielectric；PMD）等制程设备所需之大于7:1高纵深比的填沟技术条件 |
|
半导体薄膜沉积市场复苏 (2002.07.24)
综合外电消息，整体薄膜沉积市场正如预期般复苏中，特别是新兴市场ALD（Atomic Layer Deposition；原子层沉积）最为显著。
根据Information Network指出，由于去年半导体产业景气低迷，连带使整体薄膜沉积设备市场仅达到34亿美元，整整衰退了46.1％，预计今年将有4％的成长率，整体市场可望成展至36亿美元 |
|
台积电完成0.13微米铜制程产 (2000.07.18)
台积电内部透露，已利用4Mb SRAM为载具，成功完成各项制程设备的0.13微米铜制程试产，包括CVD、FSG与Spin On等3种不同的制程方式，良率都已达高水平。由于各项制程数据正在最后收集阶段，待完整的数据汇整后，台积电将于近期正式对外宣布 |
 |
浅谈Audio压缩技术发展现况 (2000.04.01)
参考数据： |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
