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默克於韩国安城揭幕旋涂式介电材料应用中心 深化下一代晶片技术支持 (2024.10.24)
默克，正式宣布在韩国安城揭幕最先进的旋涂式介电材料（Spin-on-Dielectric, SOD）应用实验室。为因应半导体产业中人工智慧蓬勃发展的趋势，该应用中心将加速开发用於先进记忆体和逻辑晶片的SOD材料 |
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延续摩尔定律 默克大力研发创新半导体材料 (2016.09.14)
摩尔定律正面临技术瓶颈，半导体业者微缩制程日益困难，先进的封装技术日益重要。看准此一机会，先进半导体材料供应商Merck（默克）近年来积极研发先进制程材料，且大举并购了AZ Electronic Materials（安智电子材料）、SAFC Hitech（赛孚思科技），以及Ormet Circuits ，以提供客户更完整的解决方案 |
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ASM研发提升45nm High-k制程1倍产量的ALD技术 (2009.02.09)
ASM日前宣布，其已成功开发出一种高速原子层沈积制程，能够为45nm high-K 闸极制程提升一倍氧化铪(HfO2) 薄膜的产量，进而延伸在关键原子层沉积(ALD)市场的领导地位。
新的高速ALD制程是专门设计在ASM的Pulsar制程模块上运作，并可使用既有的反应炉设备设计透过专利的制程最适化技术达成产能的提升 |
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ASM和SAFC签订认证制造厂商与合作协议 (2009.01.16)
ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech宣布针对进阶超介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALD)原料签订认证制造厂商与合作协议。 该协议提供化学原料之认证标准、特定ASM ALD 专利之授权许可，以及针对这些化学原料的营销与进阶开发合作关系 |
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ASM提出新技术解决high k与金属栅的挑战 (2008.05.22)
ASM推出一个全新的原子层沈积（ALD）制程。该制程采用氧化镧（LaOx）及氧化铝（AlOx）高介电值覆盖层，使得32纳米high k金属闸极堆栈采用单一金属，而不是之前CMOS所需要的两种不同的金属 |
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半导体薄膜沉积市场复苏 (2002.07.24)
综合外电消息，整体薄膜沉积市场正如预期般复苏中，特别是新兴市场ALD（Atomic Layer Deposition；原子层沉积）最为显著。
根据Information Network指出，由于去年半导体产业景气低迷，连带使整体薄膜沉积设备市场仅达到34亿美元，整整衰退了46.1％，预计今年将有4％的成长率，整体市场可望成展至36亿美元 |
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台湾应用材料推出原子层沉积技术 (2001.10.24)
应用材料公司宣布推出第一套「原子层沉积」（ALD：Atomic Layer Deposition）反应室，可在低温度范围下沉积薄而均匀的纯净薄膜；原子层沉积反应室能同时支持多种薄膜材料，包括金属与介电质薄膜 |
高度整合的芯片组不过是这几年才发生的事，如果说CPU是计算机的脑部，Chipsets就可算是计算机的心脏了。
