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CTIMES / 英飛凌、南亞、State Saxony
科技
典故		 电子工业改革与创新者 - IEEE

IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
英飞凌70奈米DRAM沟槽式技术有突破性发展 (2004.12.15)
在旧金山举办的IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)会议中，英飞凌科技公司发表了一种使用在未来DRAM世代的可量产化之70奈米制程技术，采用300mm晶圆的深度沟槽(deep trench, DT)单元之方式

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