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CTIMES / High-k
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
ASM研发提升45nm High-k制程1倍产量的ALD技术 (2009.02.09)
ASM日前宣布，其已成功开发出一种高速原子层沈积制程，能够为45nm high-K 闸极制程提升一倍氧化铪(HfO2) 薄膜的产量，进而延伸在关键原子层沉积(ALD)市场的领导地位。 新的高速ALD制程是专门设计在ASM的Pulsar制程模块上运作，并可使用既有的反应炉设备设计透过专利的制程最适化技术达成产能的提升
ASM和SAFC签订认证制造厂商与合作协议 (2009.01.16)
ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech宣布针对进阶超介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALD)原料签订认证制造厂商与合作协议。 该协议提供化学原料之认证标准、特定ASM ALD 专利之授权许可，以及针对这些化学原料的营销与进阶开发合作关系
半导体料材技术动向及挑战 (2006.11.23)
半导体制造技术能否持续突破，材料一直扮演着重要的角色，从过去最早初的锗（Germanium；Ge），到之后普遍运用的硅（Silicon；Si），而近年来又有更多的新样与衍生，以下本文将针对此方面的新用材、新趋势发展，以及现有的技术难度等，进行一番讨论

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