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Sony投3.72億美元提高鋰電池產能 (2008.08.08)
外電消息報導，Sony日前表示，由於手機、數位相機以及其他消費性電子產品對鋰電池的需求量大幅成長，因此該公司將投資3.72億美元的經費，擴增鋰電池的生產設備，以提高鋰電池的生產能力 |
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Sony投3.72億美元提高鋰電池產能 (2008.08.08)
外電消息報導，Sony日前表示，由於手機、數位相機以及其他消費性電子產品對鋰電池的需求量大幅成長，因此該公司將投資3.72億美元的經費，擴增鋰電池的生產設備，以提高鋰電池的生產能力 |
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Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻 (2008.08.06)
Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C的溫度範圍內具有±0.05 ppm/°C的工業級絕對TCR、在−55°C～+125°C（+25°C 參考溫度）的範圍內具有±0.2ppm/°C的絕對TCR、在+25°C時具有8W的額定功率（按照 MIL-PRF-39009規範，在自由空氣中為1 |
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Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻 (2008.08.06)
Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C的溫度範圍內具有±0.05 ppm/°C的工業級絕對TCR、在−55°C～+125°C（+25°C 參考溫度）的範圍內具有±0.2ppm/°C的絕對TCR、在+25°C時具有8W的額定功率（按照 MIL-PRF-39009規範，在自由空氣中為1 |
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Vishay推出改進的S系列高精度Bulk Metal箔電阻 (2008.07.31)
Vishay宣佈推出改進的S系列高精度Bulk Metal 箔(BMF)電阻，這些電阻在-55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有±2 ppm/°C的軍用級典型TCR、±0.005%的容差，以及超過10,000小時的±0.005%負載壽命穩定性 |
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Vishay推出改進的S系列高精度Bulk Metal箔電阻 (2008.07.31)
Vishay宣佈推出改進的S系列高精度Bulk Metal 箔(BMF)電阻，這些電阻在-55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有±2 ppm/°C的軍用級典型TCR、±0.005%的容差，以及超過10,000小時的±0.005%負載壽命穩定性 |
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提供過電流、過溫度與過電壓的保護機制 (2008.07.31)
在創新的熱保護裝置中，可在過電流情況發生時提供可復位的電流限制，並於過電壓的情況下提供電壓箝制能力。此一整合型解決方案可確保廠商的產品符合業界測試標準、減少元件數量並提高設備可靠性 |
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ST推出250A功率MOSFET結合先進封裝和製程 (2008.07.20)
以降低如電動汽車等電動設備的營運成本和減少對環境的影響為目標，電源應用廠商意法半導體(ST)推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET，新產品STV250N55F3低導通電阻，可將功率轉換的損耗降至最低，並且能夠提升系統的性能 |
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ST推出250A功率MOSFET結合先進封裝和製程 (2008.07.20)
以降低如電動汽車等電動設備的營運成本和減少對環境的影響為目標，電源應用廠商意法半導體(ST)推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET，新產品STV250N55F3低導通電阻，可將功率轉換的損耗降至最低，並且能夠提升系統的性能 |
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Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻 (2008.07.17)
為滿足在高可靠性應用中對超高精度電阻的需求，Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C以及−55°C～+125°C（+25°C參考溫度）的溫度範圍內分別具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低絕對TCR、額定功率時±5 ppm 的出色PCR（“R，由於自加熱”）、±0.005%的容差，以及±0.005%的負載壽命穩定性 |
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Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻 (2008.07.17)
為滿足在高可靠性應用中對超高精度電阻的需求，Vishay推出新型VSA101軸向Bulk Metal Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C以及−55°C～+125°C（+25°C參考溫度）的溫度範圍內分別具有±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C的低絕對TCR、額定功率時±5 ppm 的出色PCR（“R，由於自加熱”）、±0.005%的容差，以及±0.005%的負載壽命穩定性 |
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Vishay推出Bulk Metal表貼裝Power Metal Strip電阻 (2008.06.30)
Vishay宣佈推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在限定功率及+70ºC的條件下保持2,000小時的±0.05%負載壽命穩定性，在–55ºC至+125ºC及25ºC參考溫度條件下實現±15 PPM/ºC的絕對TCR，以及具有±0.1%的容差 |
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Vishay推出Bulk Metal表貼裝Power Metal Strip電阻 (2008.06.30)
Vishay宣佈推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在限定功率及+70ºC的條件下保持2,000小時的±0.05%負載壽命穩定性，在–55ºC至+125ºC及25ºC參考溫度條件下實現±15 PPM/ºC的絕對TCR，以及具有±0.1%的容差 |
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Vishay推出新型密封式微型超高精度Z箔電阻 (2008.06.30)
為滿足高可靠性應用中對性能的長期穩定性的需求，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型密封式VHP203微型超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C（+25°C參考溫度）範圍內具有±0.05 ppm/°C的低絕對TCR、額定功率時±5 ppm的出色功率系數（"ΔR，由於自加熱"）、±0.001%(10 ppm)的容差，以及±0.002%(20 ppm)的負載壽命穩定性 |
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Vishay推出新型密封式微型超高精度Z箔電阻 (2008.06.30)
為滿足高可靠性應用中對性能的長期穩定性的需求，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型密封式VHP203微型超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C～+60°C（+25°C參考溫度）範圍內具有±0.05 ppm/°C的低絕對TCR、額定功率時±5 ppm的出色功率系數（"ΔR，由於自加熱"）、±0.001%(10 ppm)的容差，以及±0.002%(20 ppm)的負載壽命穩定性 |
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Vishay推出新型D2TO35 35W濃膜功率電阻 (2008.06.26)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型35W濃膜功率電阻，該器件採用易於安裝的小型TO-263封裝(D2PAK)，並且具有廣泛的電阻值範圍。
該新型D2TO35濃膜電阻為無電感器件，具有0.01Ω～550kΩ的寬泛電阻範圍 |
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Vishay推出新型D2TO35 35W濃膜功率電阻 (2008.06.26)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型35W濃膜功率電阻，該器件採用易於安裝的小型TO-263封裝(D2PAK)，並且具有廣泛的電阻值範圍。
(圖一)Vishay 型D2TO35 35W濃膜功率電阻以超小型TO-263封裝(D2PAK)，具有0.01Ω～550kΩ的寬泛電阻範圍 |
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Vishay推出新型汽車精密薄膜晶片電阻陣 (2008.05.16)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜晶片電阻陣列，該器件已透過AEC-Q200測試，並具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求，同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重複性和穩定的性能 |
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Vishay推出新型汽車精密薄膜晶片電阻陣 (2008.05.16)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜晶片電阻陣列，該器件已透過AEC-Q200測試，並具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求，同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重複性和穩定的性能 |
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Vishay的電點火器晶片電阻器榮獲EDN創新獎 (2008.04.29)
Vishay宣佈，在4月14日加利福尼亞州聖荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上，其電點火器晶片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯欄目的EDN創新獎。
EDN雜誌創新獎設立於1990年，旨在表彰上一年度對半導體產業產生重大影響的人物、產品及技術 |
