CTIMES - Vishay

Vishay新增兩款第三代功率MOSFET產品 (2008.12.04)
Vishay推出兩款20V和30V n通道元件，擴展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。這些元件採用TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達45%，大幅降低切換損耗及提高切換速度

Vishay MicroTan晶片式鉭電容器獲EDN創新獎 (2008.12.04)
Vishay宣佈其TR8模塑MicroTan晶片式鉭電容器榮獲EDN China無源元件、連接器及感測器類別的創新獎。 EDN China雜誌的年度創新獎創立於2005年，該獎項旨在獎勵在過去一年中塑造了半導體行業的人員、產品及技術

Vishay新推採用SMD PLCC2封裝紅外線發射器 (2008.11.25)
Vishay推出採用PLLCC2封裝的新型870nm SMD紅外發射器，此發射器具低正向電壓及高輻射強度。新型VSMF4720具有±60º寬視角及16Mw/sr的高輻射強度（在100Ma時），其強度比其他採用PLCC2封裝的發射器大150%

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.11.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件，擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝，在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極電荷乘積

Vishay推出新型USB-OTG匯流排端口保護陣列 (2008.11.17)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新型超薄ESD保護陣列，該器件具有低電容和漏電流，可保護USB-OTG端口免受瞬態電壓信號損壞。新器件在工作電壓為5.5V時提供三線USB ESD保護，在工作電壓為12V時提供單線VBUS保護

Vishay推出新系列表面貼裝鋁電容器 (2008.11.07)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新系列表面貼裝鋁電容器，這些器件可實現+105°C的高溫營運，具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。新型ECL系列極化鋁電解電容器可在高密度PCB上實現表面貼裝，這些器件具有非故態、自修復的電解質

Vishay擴展Gen III TrenchFET功率MOSFET系列 (2008.10.23)
Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n通道器件，從而擴展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，對於採用PowerPAK SO-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與閘極極電荷之乘積

Vishay推出新型三輸出降壓控制器IC (2008.10.16)
Vishay宣佈推出一款新型高性能三輸出降壓控制器IC，該器件可在機頂盒、基站、牆壁適配器、消費類電子設備及網路中間匯流排直流輸入電源中實現高效的電源轉換。在DSP、ASIC及FPGA電源以及雙電源微處理器及DSP內核等眾多應用中，這款新型SiP12203為兩個開關降壓電源軌及一個線性電源輸出提供所需要的控制電路及保護功能

Vishay新型LDO穩壓器可提供3 5 µA的低接地電流 (2008.10.13)
Vishay推出新型LDO穩壓器，從而擴展了其LDO產品系列。該低成本器件採用可節省空間的超薄SOT23-5L封裝，可在1mA負載時提供35µA 的低典型接地電流。此款的超低接地電流有助於延長電池供電系統及可擕式電子設備中相鄰兩次充電之間的電池運行時間

Vishay推出升級5V紅外線接收器系列 (2008.10.08)
Vishay Intertechnology目前宣布，採用新一代集成電路升級5V紅外線接收器的性能，可將器件敏感度提高15%，並增强脈衝寬度精度。與光電二極管和光學封裝本身一起，集成電路是決定紅外線（IR）接收器性能的主要因素之一

Vishay推出三款新型電磁干擾抑制薄膜電容器 (2008.09.30)
Vishay宣布推出三款最大電壓可升至310 VAC的新型X2電磁干擾抑制（EMI）薄膜電容器，該電容器具有較寬的引腳腳距與電容質範圍。絕大部分標準電磁干擾抑制薄膜電容器的限定電壓介於275至305VAC之間，而Vishay推出新型MKP 339 X2、MKP 338 2 X2與MKP 336 2 X2器件可為設計人員提供更高的限定電壓，不但符合安全認證標準，且具有相同的小型尺寸

Vishay推出30V單片功率MOSFET和肖特基二極體 (2008.09.30)
Vishay宣佈推出首款採用具頂底散熱通路的封裝的30V單片功率MOSFET和肖特基二極體，其可在具有強迫通風冷卻功能的系統中高性能運作。新型SkyFET SiE726DF器件採用具有雙面冷卻功能的PolarPAK封裝，可提升高電流、高頻運用的效率

Vishay推出高強度白光功率SMD LED (2008.09.23)
Vishay推出首款採用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封裝的高強度白光功率SMD LED，提供基於藍寶石 InGaN/TAG技術、2240mcd至5600mcd的高光功率。新型VLMW63..系列採用CLCC-6封裝且具有低達50k/W的低熱阻，而採用CLCC-6扁平封裝的VLMW64.. 系列則具有40k/W低熱阻及0.9mm超薄厚度，這兩大系列都設計用於降低大容量應用的成本

Vishay推出高強度新款黃色及黃色SMD LED (2008.08.28)
Vishay推出採用CLCC-2扁平陶瓷封裝且具有400mA驅動電流的首個高強度淡黃色及黃色功率SMD LED系列。強大可靠且具有高光效率的VLMK82..與VLMY82..器件具有20K/W的低熱阻以及5600mcd～14000mcd的高光功率，主要面向熱敏應用

Vishay推出新型1A輸出電流整合功率光敏控制器 (2008.08.28)
Vishay推一款可輸出1A電流開動抵抗和電感負載整合功率光敏整流控制器，並拓展其光電產品系列。採用16腳位包含GaAs的垂度封印VO3526紅外LED，這LED可輕易聯結整體光敏非零橫穿觸發三極管探測器芯片，因而發動整合力量觸發三極管

Vishay推出新款p通道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出採用PowerPAK SC-75封裝的p通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介於8V～30V的多個器件，這些是採用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。日前推出的這些器件包括首款採用PowerPAK SC-75封裝的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)單p通道功率MOSFET

Vishay推出高精度Z箔表面貼裝電流感應晶片電阻 (2008.08.18)
Vishay宣佈推出新型VCS1625Z超高精度Z箔表面貼裝電流感應晶片電阻。此新器件可提供±0.05ppm/°C（當溫度介於0°C至+60°C之間）或±0.2 ppm/°C（當溫度範圍在−55°C至+125°C）（參考溫度為+25°C）的工業級別絕對TCR、在額定功率時±5ppm的超卓功率係數（“自身散熱產生的R∆”）及±0.2%的容差

Vishay擴展298D MicroTan產品系列 (2008.08.18)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布已擴展其298D系列MicroTan固體鉭芯片電容器，在模塑0402封裝尺寸中提供業界最佳的額定電容電壓值。 Vishay的298D MicroTan電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術以擴展產品系列，現已可在面積為1.0mm×0.5mm、最大濃度為0.60mm的超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓

Vishay推出專業汽車用薄膜晶片電阻 (2008.08.14)
Vishay宣佈推出採用0603封裝尺寸的專業汽車用薄膜晶片電阻，該電阻結合了高達+175°C（1000小時）的高工作溫度以及先進額定功率。大多數薄膜晶片電阻在+70°C的環境溫度下額定功率為100mW，而MCT 0603 AT在+85°C時額定功率規定為150mW

Vishay推出Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻 (2008.08.14)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型VSMP0603超高精度Bulk MetalZ箔(BMZF)卷型表面貼裝電阻。該器件採用0603芯片尺寸的產品，當溫度範圍在−55°C至+125°C（參考溫度為+25°C）時，可提供±0.2 ppm/°C的軍用級絕對TCR、±0.01%的容差以及1納秒的快速響應時間（幾乎不可測量），且無振鈴