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工研院組隊亮相NEPCON JAPAN 展現研製AI、車用半導體實力 (2026.01.22)
迎合AI基礎建設與電動車創造龐大能源需求，工研院近期參與日本國際電子製造關連展（NEPCON JAPAN），便以「車用碳化矽技術解決方案」、「直流電網技術解決方案」及「氮化鎵元件整合封裝解決方案」3大主題，展示逾14項前瞻技術成果，並攜手台灣廠商，加速研發成果產業化與國際布局，持續強化在先進電子與半導體領域的競爭優勢

GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄準AI資料中心與高功率工業應用 (2025.11.13)
面對高速成長的人工智能資料中心、電動車、航空航太與高功率工業應用帶來的能源挑戰，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成為推動新一波能源效率提升的重要技術里程碑

Nexperia新款1200 V SiC 蕭特基二極體適用於高功率密集基礎設施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出兩款1200V、20A碳化矽（SiC）蕭特基二極體—PSC20120J與PSC20120L，專為高功率密集型基礎設施設計，目標應用涵蓋AI伺服器叢集、電信設備與太陽能逆變器等對能效要求極高的電源系統

工研院與台達開發SiC模組　搶攻高功率電子市場 (2025.02.08)
基於現今電動車為了符合低碳永續趨勢及續航力，兼顧在高壓、高溫下穩定運行，使得具備高功率密度的寬能隙化合物半導體（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成為該領域深受關注的元件材料

工研院SiC技術亮相日本助攻電動車產業升級 (2025.01.22)
工研院於日本國際電子製造關連展發表車用碳化矽（SiC）解決方案，吸引逾8萬人次參觀，並與車廠及零件商洽談合作。工研院展示了與台達電共同開發的SiC功率模組，可提升電動車動力效能、延長續航里程並加速充電

SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。

Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關

德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器（TI）已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵（GaN）功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多

格棋化合物半導體中壢新廠落成攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局

ASM雙腔體碳化矽磊晶平台滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶（Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用

電動壓縮機設計核心-SiC模組 (2024.09.29)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心零組件，對於電驅動系統的溫度控制具有重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續航里程均至關重要，本文主要討論SiC MOSFET 離散元件方案

ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產，包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」

ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議 (2024.09.05)
半導體製造商ROHM與中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）簽署了SiC功率元件的長期供貨協議。 UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來，雙方在SiC功率元件的車載應用產品開發方面也建立了合作夥伴關係

ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型 (2024.08.29)
半導體製造商ROHM內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組，成功導入至浙江吉利控股集團（以下稱吉利）的電動車（以下稱EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器

ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.28)
在汽車領域，隨著安全性和便利性的提高，電子產品逐漸增加，電子元件數量也與日俱增，而為了提高燃油效率和降低電耗，更是要求需降低上述產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲

100％綠電運營英飛凌啟用全球最大8吋SiC功率半導體晶圓廠 (2024.08.08)
英飛凌科技宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽（SiC）功率半導體晶圓廠。馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 一同進行啟用儀式

德州儀器與台達電子合作推動電動車車載充電技術再進化 (2024.07.03)
德州儀器（TI）與台達電子展開長期合作，共同開發次世代電動車車載充電與電源解決方案。這項合作將於雙方在台灣平鎮的創新聯合實驗室進行，結合雙方在電源管理與電力傳輸方面的研發量能，共同推動功率密度、效能與尺寸最佳化，加速實現更安全、充電快速和實惠的電動車

TI首款GaN IPM問世實現更小更具能源效率的高電壓馬達設計 (2024.06.26)
德州儀器 (TI) 推出適用於 250W 馬達驅動器應用的 650V 三相 GaN IPM（Intelligent Power Module）。這款全新 GaN IPM 能協助工程師克服在設計大型家用電器以及暖通空調（HVAC）系統時常面臨的多數設計與性能的問題

意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST），將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽（SiC）功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠，意法半導體將打造一個碳化矽產業園區，達成在同一個園區內全面垂直整合製造及量產碳化矽之願景

安森美於捷克打造端到端碳化矽工廠完備先進功率半導體供應鏈 (2024.06.20)
電氣化、再生能源和人工智慧是全球大勢所趨，激發了市場對可最佳化能源轉換和管理的先進功率半導體的空前需求。為滿足這些需求，安森美採取了戰略舉措，宣佈將在捷克建造先進的垂直整合碳化矽 (SiC) 製造工廠