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High NA EUV將登場 是否將加速半導體產業寡占？ (2026.02.13)
隨著 2 奈米以下製程逐步逼近量產階段，High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機）設備被視為延續摩爾定律的重要關鍵。然而，在技術突破的光環之下，產業界也開始討論一個更現實的問題：當導入門檻與投資規模再創新高 |
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High NA EUV將登場 是否將加速半導體產業寡占？ (2026.02.13)
隨著 2 奈米以下製程逐步逼近量產階段，High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機）設備被視為延續摩爾定律的重要關鍵。然而，在技術突破的光環之下，產業界也開始討論一個更現實的問題：當導入門檻與投資規模再創新高 |
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艾司摩爾2025年全年財報亮眼 全球半導體設備迎來新一波紅利期 (2026.01.28)
艾司摩爾（ASML）近日揭曉 2025 年全年財報，數據表現亮眼。2025 年全年銷售淨額達到 327 億歐元，淨收入為 96 億歐元。光是第四季的單季銷售額就以 97 億歐元創下歷史新高，其中包括兩套最先進的 High NA EUV 設備收入認列，顯示出先進製程的需求正處於爆發期 |
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艾司摩爾2025年全年財報亮眼 全球半導體設備迎來新一波紅利期 (2026.01.28)
艾司摩爾（ASML）近日揭曉 2025 年全年財報，數據表現亮眼。2025 年全年銷售淨額達到 327 億歐元，淨收入為 96 億歐元。光是第四季的單季銷售額就以 97 億歐元創下歷史新高，其中包括兩套最先進的 High NA EUV 設備收入認列，顯示出先進製程的需求正處於爆發期 |
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中國公布EUV原型機研發進展 (2025.12.19)
根據報導指出，中國在極紫外光（EUV）光刻機領域已完成原型機階段的進展。此一成果被視為中國推動高階半導體設備自主化的重要里程碑，也是外界所稱「中國曼哈頓計畫」的關鍵環節之一，顯示中國正積極嘗試突破先進製程設備長期依賴海外供應的結構性限制 |
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中國公布EUV原型機研發進展 (2025.12.19)
根據報導指出，中國在極紫外光（EUV）光刻機領域已完成原型機階段的進展。此一成果被視為中國推動高階半導體設備自主化的重要里程碑，也是外界所稱「中國曼哈頓計畫」的關鍵環節之一，顯示中國正積極嘗試突破先進製程設備長期依賴海外供應的結構性限制 |
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美光1γ製程可有效緩解AI負載記憶體頻寬不足的問題 (2025.06.10)
美光科技近日開始出貨採用1γ（1-gamma）製程節點的低功耗雙倍資料速率（LPDDR5X）記憶體認證樣品。1γ製程之所以能實現這些突破，關鍵在於美光採用了多項先進的半導體製造技術 |
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美光1γ製程可有效緩解AI負載記憶體頻寬不足的問題 (2025.06.10)
美光科技近日開始出貨採用1γ（1-gamma）製程節點的低功耗雙倍資料速率（LPDDR5X）記憶體認證樣品。1γ製程之所以能實現這些突破，關鍵在於美光採用了多項先進的半導體製造技術 |
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乾式光阻技術可有效解決EUV微影製程中的解析度與良率挑戰 (2025.01.17)
隨著半導體技術邁向 2nm 及以下的節點，製程技術的每一步都成為推動摩爾定律延續的重要基石。在這其中，乾式光阻（dry resist）技術的出現，為解決極紫外光（EUV）微影製程中的解析度與良率挑戰提供了突破性解決方案 |
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乾式光阻技術可有效解決EUV微影製程中的解析度與良率挑戰 (2025.01.17)
隨著半導體技術邁向 2nm 及以下的節點，製程技術的每一步都成為推動摩爾定律延續的重要基石。在這其中，乾式光阻（dry resist）技術的出現，為解決極紫外光（EUV）微影製程中的解析度與良率挑戰提供了突破性解決方案 |
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默克在日本靜岡建設先進材料開發中心 深化半導體創新與永續發展 (2024.12.24)
默克宣布將在日本靜岡廠區投資逾7,000萬歐元，興建一個先進材料開發中心，預計此項目將於2026年投入營運。此次投資總額超過1.2億歐元。新建的先進材料開發中心將以靜岡現有的圖形化製程卓越中心為基礎，專注於開發與製程需求相符、符合環境標準的創新材料 |
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默克在日本靜岡建設先進材料開發中心 深化半導體創新與永續發展 (2024.12.24)
默克宣布將在日本靜岡廠區投資逾7,000萬歐元，興建一個先進材料開發中心，預計此項目將於2026年投入營運。此次投資總額超過1.2億歐元。新建的先進材料開發中心將以靜岡現有的圖形化製程卓越中心為基礎，專注於開發與製程需求相符、符合環境標準的創新材料 |
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ASML：高階邏輯和記憶體EUV微影技術的支出可達兩位數成長 (2024.11.14)
艾司摩爾（ASML）預估該公司 2030 年年營收約為 440 億至 600 億歐元之間，毛利率約為 56% 至 60%。除了幾個重要終端市場的成長潛力之外，ASML 認為 AI 帶來的發展可望成為驅動整體社會生產力與創新的主要動力，並為半導體產業創造顯著商機 |
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ASML：高階邏輯和記憶體EUV微影技術的支出可達兩位數成長 (2024.11.14)
艾司摩爾（ASML）預估該公司 2030 年年營收約為 440 億至 600 億歐元之間，毛利率約為 56% 至 60%。除了幾個重要終端市場的成長潛力之外，ASML 認為 AI 帶來的發展可望成為驅動整體社會生產力與創新的主要動力，並為半導體產業創造顯著商機 |
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ASML落實永續價值 加速布局淨零碳排 (2024.10.03)
艾司摩爾（ASML）長年投注於永續經營，連續幾年受到肯定表揚。彰顯ASML在台長期針對環境永續、企業承諾和社會參與的不懈努力。ASML推動循環經濟不遺餘力，致力延長產品的生命週期，2010年至今，整新修復後再回到市場上的機台超過130台；公司成立40年至今，仍有95%的機台還在客戶端運作 |
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ASML落實永續價值 加速布局淨零碳排 (2024.10.03)
艾司摩爾（ASML）長年投注於永續經營，連續幾年受到肯定表揚。彰顯ASML在台長期針對環境永續、企業承諾和社會參與的不懈努力。ASML推動循環經濟不遺餘力，致力延長產品的生命週期，2010年至今，整新修復後再回到市場上的機台超過130台；公司成立40年至今，仍有95%的機台還在客戶端運作 |
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ASML：第二季營收主要來自浸潤式DUV系統銷售動能 (2024.07.17)
艾司摩爾 (ASML) 發佈 2024 年第二季財報，銷售淨額 (net sales)為 62 億歐元，淨收入為 (net income) 16 億歐元，毛利率 (gross margin) 為 51.5%，第二季度訂單金額為 56 億歐元，其中 25 億歐元為 EUV 訂單 |
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ASML：第二季營收主要來自浸潤式DUV系統銷售動能 (2024.07.17)
艾司摩爾 (ASML) 發佈 2024 年第二季財報，銷售淨額 (net sales)為 62 億歐元，淨收入為 (net income) 16 億歐元，毛利率 (gross margin) 為 51.5%，第二季度訂單金額為 56 億歐元，其中 25 億歐元為 EUV 訂單 |
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英特爾晶圓代工完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備組裝 (2024.04.22)
英特爾位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地中，研發人員已完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝。此台由微影技術領導者艾司摩爾（ASML）供應的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影設備，將開始進行多項校準步驟，預計於2027年啟用、率先用於Intel 14A製程，協助英特爾推展未來製程藍圖 |
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英特爾晶圓代工完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備組裝 (2024.04.22)
英特爾位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地中，研發人員已完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝。此台由微影技術領導者艾司摩爾（ASML）供應的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影設備，將開始進行多項校準步驟，預計於2027年啟用、率先用於Intel 14A製程，協助英特爾推展未來製程藍圖 |
為了整合電子位元資訊交換的共同標準，統一全球各國分歧殊異的文字符號，獨霸全球字元編碼標準，ASCII與Unicode的分分合合就此展開........
