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ST新款40V STripFET F8 MOSFET電晶體 具備節能降噪特性 (2022.08.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出新40V MOSFET電晶體STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導通電阻和開關損耗，同時優化體寄生二極體之特性，降低功率轉換、馬達控制和配電電路的耗能和雜訊 |
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意法半導體推出適合高啟動電流應用的單通道負載開關 (2022.06.15)
意法半導體（STMicroelectronics：ST）推出了IPS1025H與IPS1025H-32單通道可程式高邊開關。這兩款開關內建欠壓保護、過壓保護、過載保護、過熱保護功能，能智慧驅動高啟動電流的電容性負載、電阻性負載或電感性負載 |
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ROHM推出600V耐壓SuperJunction MOSFET 實現超低導通電阻 (2022.04.13)
半導體製造商ROHM在600V耐壓SuperJunction MOSFET“PrestoMOS”產品系列中，新增了「R60xxVNx系列」七款機型，非常適用於電動車充電樁、伺服器、基地台等大功率工控裝置的電源電路、以及空調等因節能趨勢而採用變頻技術的大型生活家電的馬達驅動 |
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英飛凌Power PROFET系列產品可取代高電流繼電器與保險絲 (2016.11.10)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）支持分散式、智慧化、具成本效益的汽車電源網架構，推出 Power PROFET全新超低電阻高側智慧開關系列產品。這些保護型開關具備市面上最低的導通電阻及最高的能源管理能力，可取代配電與接線盒中的機電式繼電器和保險絲，最高可達 40 A DC |
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英飛凌OptiMOS 5 150 V 可大幅降低導通電阻和逆向復原電荷 (2016.10.18)
【德國慕尼黑訊】為滿足高效率設計和應用的需求，英飛凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5 150 V 產品組合，進一步拓展OptiMOS 第五代功率 MOSFET系列。全新150 V系列特別針對需求低電荷、高功率密度同時具備高耐用度的高效能應用，如低壓驅動器、電信電源與的同步整流以及太陽能轉換器所設計 |
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羅姆量產溝槽式SiC 導通電阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半導體市場，SiC（碳化矽）元件的發展，一直是主要業者所十分在意的重點，理由在於它與傳統的MOSFET或是IGBT元件相較，SiC可以同時兼顧高開關頻率或高操作電壓，反觀MOSFET與IGBT只能各自顧及開關頻率與操作電壓，顯然地SiC元件相對地較有技術優勢 |
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溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)
ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗 |
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英飛凌新一代功率MOSFET具備低導通電阻 (2015.02.10)
英飛凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5旗下 80V和100V兩款新產品。最新一代的功率MOSFET針對高切換頻率所設計，適用於電信及伺服器電源供應器等同步整流，以及其他如太陽能、低壓馬達和變壓器等工業應用 |
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ADI推出故障檢測和保護、低/超平坦電阻值開關系列產品 (2014.11.19)
在製程控制和資料擷取應用中即時辨識和防範故障，可提高系統正常運行時間。
美商亞德諾（ADI）推出故障檢測和保護、低/超平坦電阻值開關系列產品：ADG5412F、ADG5413F、ADG5412BF和ADG5413BF |
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IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻 (2014.11.13)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)為工業應用擴充StrongIRFET MOSFET系列，為多種工業應用包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流推出75V元件 |
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ROHM新推出導通電阻僅34mΩ (2012.03.08)
羅姆電子(ROHM株式會社)於日前宣布全新推出創新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET，「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ)，適合太陽能發電系統的功率調節器使用。
隨著節能議題愈來愈受到關注，其中，太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源，因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張 |
