工研院光電所日前宣布成功研發奈米級技術──穿隧巨磁電阻效應機制自旋電晶體（Spin transistor），該技術為我國自行研發，且磁電流變化率更是凌駕世界水準，目前正申請歐、美、日等國專利，預期將可帶動台灣自旋電子產業發展，以爭取廣大商機。
中央社引述工研院副院長暨前瞻奈米計畫總計畫主持人楊日昌說法指出，自旋電晶體是透過電子具有自旋的特性來控制電流通過與否，進而產生類似電晶體的效應，並結合邏輯、開關、記憶、微磁感測等功能於一身，具有高積體密度、速度快及省能源等優點。
楊日昌指出，此次由光電所自行研發的「穿隧與金屬巨磁電阻效應機制自旋電晶體」，可有效地在矽基版上結合磁阻元件與半導體p-n接面製作出自旋電晶體，利用電子於磁阻元件不同磁矩分佈狀態時，電子損失能量的多寡來決定是否有輸出電流通過與否。
楊日昌強調，磁性應用在量產技術克服後，在半導體記錄及抽取式超高密度記錄技術即可廣泛被推廣使用 ，是一極具市場潛力的未來產品。未來光電所將持續投入自旋電子技術研發，使自旋電晶體可被廣泛運用於磁頭、RAM、邏輯電路及開關電源等領域，同時配合工業應用技術，創造科技新領域。
