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台積電0.18微米40伏特高電壓製程成功量產

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晶圓大廠台積電宣佈該公司已成功使用0.18微米40伏特高電壓製程技術,為客戶量產手持式薄膜液晶顯示器(TFT LCD)晶片。此項製程技術為客戶提供系統單晶片解決方案,甚具突破性意義,能夠減少先進手持式產品顯示器晶片的數目、縮小基板面積、節省耗電量以及增加顯像效能。

台積電表示,藉由0.18微米製程技術,晶片設計人員能夠將LCD源極驅動晶片(Source Driver IC)、閘極驅動晶片(Gate Driver IC)以及電源管理晶片整合在一起,以降低顯示器晶片數目,並延長液晶顯示器之電池壽命。此外,晶片設計人員也可以選擇開發更高度整合的系統單晶片,進一步將應用於行動電話高階視頻圖形陣列(VGA)的繪圖控制晶片以及薄膜或彩色螢幕驅動晶片整合在一起。

台積電的此項製程具備卓越的隔絕(isolation)技術,能夠高度有效地整合1.8伏特、5 伏特以及40伏特三種不同電壓電路。同時,此製程技術能將雜訊(noise)降至最低並可以有效避免電路閉鎖(latch up)的問題,以確保元件正常運作並延長元件的壽命。而此項0.18微米40伏特高電壓製程技術,也可相容於台積電0.18微米低電製程的所有邏輯及類比矽智財,可降低客戶設計成本。

同時,有鑑於晶片設計人員對於個人手持產品顯示器晶片品質的最佳化之不同需求,台積電預計於2005年推出顯示器影像效能單次調整(OTP)及多次調整(MTP)功能的特殊矽智財;使用此兩項特殊矽智財毋須增加任何晶片生產製程步驟。此外台積電也同時提供客戶該製程的晶圓共乘(CyberShuttle)服務,供客戶快速及以較低的成本進行晶片驗證及工程樣品晶片試製,並提供客戶包括金凸塊(Gold Bumping)等後段測試服務。

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