先進半導體微縮競爭從EUV曝光設備延伸至光阻、光罩與量測材料。日本王子控股（Oji Holdings）與imec合作開發的木質生質光阻，透過High-NA EUV曝光已成功形成10奈米線寬及16奈米孔洞圖形，鎖定A14世代製程，更重要的是不使用PFAS，讓先進製程材料同時朝微縮與環境法規兩條路線推進。
High-NA EUV將數值孔徑由現行EUV的0.33提高至0.55，以取得更高解析能力，被視為2奈米以下持續微縮的重要工具。不過，曝光能力提高也意味光阻必須同時面對解析度、線寬粗糙度、感度、缺陷及蝕刻耐受性等挑戰，材料已成為High-NA能否真正進入高量產的重要環節。
先進半導體微縮競爭從EUV曝光設備延伸至光阻、光罩與量測材料，而材料已成為High-NA能否真正進入高量產的重要環節。
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王子控股自2024年開發EUV木質生質光阻，2025年開始與imec合作，此次除完成10奈米線寬圖形，也已成功進行後續蝕刻，初步證明導入實際製程的可能性，並規劃2028年推進事業化。 對長期由日本企業占據重要位置的半導體化學材料市場而言，PFAS-free若能兼顧解析度與量產穩定性，可能形成新的技術門檻。
High-NA生態系正在擴大。ASML正與主要晶片業者推動更大型光罩，以突破High-NA目前可曝光晶片面積限制；台積電規劃2030年於先進製程高量產導入High-NA，三星與SK海力士則瞄準2028年DRAM量產應用。
因此，High-NA競爭已不只是ASML曝光機之爭，而是帶動Photoresist、Mask、Pellicle、清洗、搬運、Metrology與缺陷檢測同步升級。台灣半導體供應鏈未來面臨的態勢，在於當晶圓廠開始導入High-NA，周邊材料與設備也將迎來新一輪規格提升；日本材料技術與台灣先進製造之間的供應鏈連結，反而可能隨製程微縮進一步加深。
