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搜尋「寬能隙」,共 184 筆

隨著AI資料中心、高功率伺服器及能源轉換系統對電力效率要求持續提高,寬能隙半導體為功率元件技術升級的重要方向。由台灣創業者周大順在德國柏林創辦的NextGO Epi,聚焦氧化鎵(Ga?O?)磊晶材料開發,並且以4吋晶圓製造技術切入新一代功率…

提供種類最齊全的半導體與電子元件、專注於新產品導入的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨安森美 (onsemi) 全新GaNEXUS氮化鎵場效電晶體 (GaN FET)。GaNEXUS GaN FET運用…

AI基礎建設競賽逐漸從GPU算力延伸至電力轉換。隨著AI伺服器功率密度提高,傳統資料中心供電面臨轉換損耗、電流與散熱壓力,800V高壓直流(HVDC)、固態變壓器(SST)與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代供電架構,SiC、GaN也從電動車與…

走進展會燈光微暗的展示區,透明壓克力展示箱內一隻泛著淡金屬綠光芒的擬人機械手臂,正靜靜托舉著一枚重達兩公斤的金屬啞鈴。它沒有工業機械手臂那種龐大笨重的減速機外殼,也沒有拖曳在外、繁雜如藤蔓般的散熱管線與線束,整體線條流暢優雅,關節處僅嵌有一…

生成式AI與高效能運算快速發展,正將資料中心的競爭焦點,從單純追求運算效能,推向更根本的電力問題。當單一機架需要承載更高功率,系統業者面臨的不只是供電量增加,還包括轉換損耗、散熱、空間、可靠度與建置成本同步上升。AI資料中心的下一場競賽,將…

無線通訊技術即將從5G邁向6G,頻譜資源的開發已從毫米波(mmWave)進一步延伸至太赫茲(THz)頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波,其位於微波與紅外線之間,不僅具備極其寬廣的可用頻寬,還擁有獨特的穿透性與空間解析度。…

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)以創新半導體主要企業之姿,發表了針對次世代800 VDC架構的AI資料中心用先進電源解決方案白皮書。 本白皮書基於2025年6月發佈的「ROHM Delivers High-Performance …

義大利米蘭理工大學研究團隊近期透過飛秒與阿秒級的超快光脈衝實驗,首次在鑽石內部觀測到一種短暫存在但具有深遠影響的現象——「虛電荷載子」。這些瞬時生成的電子與空穴雖然存續時間極短,卻能在超高速尺度上改變鑽石的光學特性與電子反應,為未來跨入「拍…

面對關稅與新台幣升值的夾擊,台灣機械業仍力拼轉型發展半導體設備,期能與半導體業攜手,共創共榮。台灣機械工業同業公會(TAMI)理事長莊大立今年除了循往例,出席SEMICON Taiwan 2025開幕典禮,前往會員攤位交流;並在次日舉行的半…

隨著電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求持續升溫,第三類半導體材料碳化矽(SiC)已成為能源轉換效率提升的關鍵核心。面對全球市場快速變化,格棋化合物半導體董事長張忠傑指出,雖然短期仍存在終端調整與庫存去化壓力,但碳化矽的長期前景無庸…

位於布魯克林的美國新創公司 Nanotronics 正在打造名為 Cubefabs 的模組化晶圓廠,旨在透過小規模、高彈性與 AI 自動化,重塑全球半導體製造格局。首座 Cubefab 預計在 18 個月內於紐約啟用,總建廠時間不到一年,設…