迎接AI時代 安森美開發嵌入式電源平台 (2026.09.18)
安森美（onsemi）發布嵌入式電源平台（EPP），這是一項突破性架構，以矽晶圓本身作為封裝載體，並引入高度整合的電源系統設計方法。EPP是可擴展的平台，從設計之初便整合電氣、機械和熱設計，針對AI、電氣化和自動駕駛應用，幫助客戶實現更高的…
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意法半導體：AI時代需從「系統端與全生命週期」重構能源效率 (2026.09.10)
資料中心在運算規模與功率密度上急速飆升，能源消耗與散熱瓶頸已成為不可忽視的工程挑戰。在 SEMICON Taiwan 2026 期間，意法半導體（STMicroelectronics）亞太區永續專案負責人 Edoardo Auteri 直言…
算力驅動功率元件、先進封裝升級 大廠加速策略轉型 (2026.09.09)
迎接AI算力與Physical AI熱潮，資策會產業情報研究所（MIC）於9/8~9/10舉辦「2026 MIC FORUM Fall《躍進 AI Leap》」研討會，今（9）日聚焦AI應用從雲到端全面擴張的趨勢，正改寫半導體產業競爭格局。…
安森美：攻克AI資料中心電力挑戰 固態變壓器嶄露頭角 (2026.09.09)
人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎，並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電，正日益承受壓力。 為應對這些挑戰，產業正逐步轉向 800V 高壓直流 （HVDC） 架構。 …
台達於 SEMICON Taiwan 2026 展出 AI 智造、基礎設施全方位應用 (2026.09.03)
台達（2）日宣布參與2026年國際半導體展（SEMICON 2026），因應AI 帶動製造升級、能源需求，台達以「AI 建構智造韌性未來」為主題，展示包含「半導體前後段製程應用」、「智能製造與資安方案」，以及「廠務及基礎設施」，呈現軟硬體整…
台積電研發微流道散熱 冷卻技術納入先進封裝 (2026.09.02)
AI晶片算力與功耗持續攀升，熱管理正從資料中心、伺服器機櫃及冷板，進一步向半導體製程與先進封裝內部推進。隨著CoWoS、3D IC等異質整合提高晶片密度，熱源更集中於封裝內部，傳統由晶片表面向外散熱的架構逐漸面臨熱阻瓶頸，促使微流道（Mic…
突破AI晶片散熱與封裝瓶頸 創浦攻晶片內建冷卻與玻璃基板鍍膜技術 (2026.09.02)
半導體產業的競爭焦點正全面延伸至先進封裝與晶片層級的散熱架構。創浦（TRUMPF）於 SEMICON Taiwan 2026 期間，展示針對 AI 晶片堆疊的「整合式晶片內部冷卻技術」，並同步發表用於玻璃基板（Glass Substrate…
英飛凌收購C2i 擴展AI資料中心電源管理創新能力 (2026.08.26)
英飛凌科技宣佈收購總部位於班加羅爾的 C2i Semiconductors。C2i Semiconductors 是一家專注於為 AI 資料中心應用提供軟體定義多相控制器及智慧功率級的技術公司。C2i Semiconductors的技術讓英…
英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
Power Integrations發表2200V GaN技術 拓展高壓電力系統應用 (2026.08.07)
Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級，使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽（SiC）主導的高壓領域，提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
安森美：AI算力競賽進入電力架構時代 設計與驗證成本不可忽視 (2026.07.31)
生成式AI與高效能運算快速發展，正將資料中心的競爭焦點，從單純追求運算效能，推向更根本的電力問題。當單一機架需要承載更高功率，系統業者面臨的不只是供電量增加，還包括轉換損耗、散熱、空間、可靠度與建置成本同步上升。AI資料中心的下一場競賽，將…
英飛凌首款CoolSiC G2技術碳化矽雙向開關問世 (2026.07.23)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出基於成熟可靠750V CoolSiC G2技術平台打造的碳化矽（SiC）雙向開關（BDS）。該產品採用垂直整合雙晶片共汲極設計，採用頂部散熱Q-DPAK封裝，將…
三菱電機自動化競賽頒獎 勤益科大奪冠 (2026.07.23)
台灣三菱電機自動化公司近日假臺中科技大學民生校區舉辦第二屆「三菱電機智慧自動化設備創新實作競賽（Mitsubishi Electric Contest of Automation，MECA）」決賽暨頒獎典禮。經書面初審選出的9組大專院校隊伍…
ROHM推出頂部散熱SiC MOSFET全新封裝 可兼顧高散熱與高耐壓！ (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封裝。新產品為可自動安裝的表面安裝型產品，透過將散熱面置於封裝頂部的結構，實現了與插裝型封裝（TO-247-4L）同等…
英飛凌獲Gartner評選為AI資料中心電源半導體領域最具競爭力公司 (2026.06.30)
根據 Gartner最新報告《AI 供應商競賽：英飛凌成為 AI 資料中心電源半導體領域的標竿公司》，Gartner檢視了快速演進的 AI 資料中心功率半導體市場，並將英飛凌科技評選為該領域「最具競爭力的公司」。Gartner 指出，英飛凌…
英飛凌首款碳化矽功率模組可在205℃運作 針對電動汽車逆變器設計 (2026.06.18)
英飛凌科技在電動汽車逆變器功率模組領域完成一個新的里程碑：HybridPACK Drive 系列正式推出全新 1300 V 碳化矽（SiC）模組，該模組能夠在高達 205℃的溫度下持續運行。市面上現有的同類設計通常最高僅允許在 175℃ 下…
英飛凌與西門子合作 以碳化矽技術賦能資料中心及工廠電氣保護 (2026.06.11)
英飛凌科技與西門子開展合作，共同提升資料中心、生產設施及電池儲能系統的電氣保護水準，保障運行可靠性。合作內容包括英飛凌將向西門子供應碳化矽（SiC）功率模組，用於西門子的SENTRON 3QD2半導體斷路器。這將提升西門子斷路器保護解決方案…
GaN與SiC如何解開AI能源封印？ (2026.06.10)
在AI這個由矽晶片與光纖交織成的虛擬未來裡，人類文明的瘋狂演進，最終依賴的依然是我們管理電子的能力。每一分轉換效率的提升，每一微秒的故障隔離，背後都是無數工程師與半導體材料的生死搏鬥。…
格棋化合物半導體榮獲第22屆台灣金根獎 (2026.06.10)
台灣碳化矽（SiC）材料廠格棋化合物半導體獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神，表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業。格棋此次以中小企業組「半導體及數位科技」領域獲獎，展現公司自20…
ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的Si…