瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體(Si-IGBT),以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車(EV)逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和…
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瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體(Si-IGBT),以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車(EV)逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和…
DENSO和聯華電子日本子公司USJC共同宣佈,兩家公司已同意在USJC的12吋晶圓廠合作生產車用功率半導體,以滿足車用市場日益增長的需求。 USJC將在晶圓廠裝設一條絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT, insulated gate bipo…
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英飛凌(Infineon) 日前宣佈,擴展其車用功率半導體系列產品,推出全新 650V CoolMOSTM CFDA。這是整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案,符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。650V CoolM…