英飛凌與Panasonic為常關型600V氮化鎵功率半導體建立雙供應源 (2015.03.17)
英飛凌科技(Infineon)與 Panasonic公司宣佈雙方將共同開發以 Panasonic 常關型(強化模式)矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品,並整合至英飛凌的表面黏著裝置(SMD)封裝。Panasonic已提供…
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英飛凌科技(Infineon)與 Panasonic公司宣佈雙方將共同開發以 Panasonic 常關型(強化模式)矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品,並整合至英飛凌的表面黏著裝置(SMD)封裝。Panasonic已提供…